中国允许扩产5%并进行技术升级，韩半导体业松口气：“不确定性正逐步消除”
半导体支持法防护栏条款细节公布
虽有限制产能但允许技术升级
国内业界称“已降低在华业务风险”
对华半导体设备出口管制讨论仍是课题
美国公布了《芯片与科学法案》防护栏条款的细则。一直忐忑等待结果的韩国半导体企业表示，条件比预想的要好。美国虽然对在中国半导体工厂扩大产能设限，但允许进行技术升级。三星电子、SK海力士等企业认为，在运营中国工厂时可能出现的风险大幅降低。韩国政府今后将重点推进延长对华半导体设备出口管制豁免等相关事项的处理。
美国商务部于当地时间21日公布了《芯片与科学法案》中，限制获得补贴企业在中国等“关注国家”投资的防护栏条款。美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，“防护栏条款将有助于美国在今后几十年里始终领先对手一步”，并公开了细节内容。
首先，获得补贴的企业如在今后10年内，就“实质性扩张（material expansion）”其在中国的半导体产能达成重大交易，将被要求全额返还补贴。重大交易规模被界定为10万美元以上，“实质性扩张”则被规定为增加晶圆投片量等量的扩产。
同时还增加了一项限制，即中国工厂的先进半导体产能不得增加5%以上，通用半导体产能不得增加10%以上。通用半导体的标准为：逻辑半导体在28纳米（nm，1nm=10亿分之一米）及以上；动态随机存取存储器（DRAM）大于18nm；以及堆叠层数低于128层的闪存（NAND）。
如果韩国半导体企业领取补贴，在今后10年内将无法把中国工厂的产能提高5%以上。尽管如此，业界对本次防护栏条款的发布仍持积极态度。虽然在通过扩建生产线等方式扩大产能方面受到一定限制，但舆论认为已躲过最糟糕的情况。
尤其是业界对最为担心的技术升级投资不受限制这一点，感到一定程度的宽慰。因为不仅可以对中国境内生产设施的技术和工艺进行升级，还可以进行设备更换等为运营设施所需的投资。通过技术升级提高集成度，即便投入同样数量的晶圆，也有可能生产出更多芯片。
一位业界相关人士表示：“虽然有5%的限制，无法大规模扩建或大幅提高产能，但如果在技术升级方面也受到限制，风险会大得多”，“在中国部分工厂，如果无法进行升级，将可能遭受巨大打击”。另一位相关人士也称：“通过两国政府的协商，中国业务的不确定性正在逐步消除”，“与此前外界的担忧相比，风险已经大幅降低”。
不过，如果韩国企业被纳入美国对华半导体设备出口管制的适用范围，技术升级仍可能受到限制。自去年10月起，美国为阻止在中国生产18nm及以下DRAM、128层及以上NAND以及14nm及以下逻辑半导体，开始限制出口相关先进设备。但对三星电子和SK海力士则给予了为期1年的豁免。如果不延长豁免期，从今年10月起，中国境内先进半导体生产可能会受到影响。
韩国产业通商资源部表示，由于美方将在为期60天的意见征求期后最终敲定防护栏条款，韩方将展开进一步协商。韩方计划与23日访韩的美国《芯片与科学法案》主要工作团队就补贴发放及防护栏条款相关问题进行讨论。产业部相关人士表示：“我们将全力通过协商，把《芯片与科学法案》以及美国对华半导体设备出口管制等主要议题对韩国半导体业界造成的负担降到最低。”
三星电子和SK海力士发表共同立场称，将“严密审视美国政府公布的内容，制定今后的应对方向”。
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