SK海力士加速研发超越238层的超高层NAND

[亚洲经济 金平和 记者] 在SK海力士负责推进下一代工艺开发业务的副社长 Ko Eunjung，已将今年锁定为攻关超高层NAND闪存开发的目标。SK海力士计划在去年成功开发的238层四维（4D）NAND基础上，推出技术水平更高的产品。

SK海力士19日在新闻室公开了对未来技术研究院下一代工艺副社长 Ko Eunjung 的采访。Ko 副社长是SK海力士新年高管人事中唯一一位上榜的女性。

Ko 副社长自2005年入社以来，一直负责NAND闪存的开发和量产工作。此后，她先后参与了动态随机存取存储器（DRAM）开发和三维（3D）NAND开发等重量级项目。在研发(R&D)战略室中，她跨越多个领域，负责主要产品线的开发战略工作。目前则专注于4D NAND下一代工艺开发。

Ko Eunjung SK海力士未来技术研究院次世代工艺部门副社长 / [사진출처=SK하이닉스 뉴스룸]

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Ko 副社长在采访中指出，自己遍历半导体产业全局的“通才（Generalist）”经历，是个人的一大优势。她还表示，自己是能够把组织、专业、性别等成员多样性以及产品线多样性汇聚起来，产生协同效应的“融合型领导者”。

她表示：“得益于参与多种产品开发的经历，我能够在各项目之间进行相互参照和融合，形成更为扩展的思维方式。虽然下一代NAND工艺开发并不容易，但我希望以这些经验和思维为基础，持续创造协同效应。”

Ko 副社长以今年成功开发下一代超高层NAND为目标。其目的在于克服当前半导体景气低迷，推出将成为未来核心竞争力的高附加值产品。此前，SK海力士已于去年8月成功开发出全球层数最高的238层4D NAND。Ko 副社长正在开发一款在该产品之上进一步提升技术水平的新产品。

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为克服新年半导体“寒潮”，Ko 副社长选定的组织关键词是“众人拾柴”。她表示：“在半导体工艺中，不可能由一个人完成所有工作。每个人都在自己的岗位上尽最大努力工作，这些成果汇聚在一起，才能完成一款产品。”她接着称：“把当前危机转化为机遇的方法也是一样，不是‘我一个人’，而是‘我们’。这正是突破危机的SK海力士DNA。”

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