“连HBM都盯上了”……三星·SK在中国追赶下如何守住“超越性差距”[芯片Talk]

by Jang Bokyeong

Published 16 May.2026 08:00(KST)

Updated 16 May.2026 11:52(KST)

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半导体超级景气引爆中国强势攻势
三星以压倒性速度和产量正面应对
SK凭强化封装巩固存储器领导地位
各界一致呼吁“需要大胆投资和技术创新”

以高带宽存储器（HBM）为中心的人工智能（AI）存储器需求激增，三星电子和SK海力士正全力以赴守住市场主导权。三星电子通过平泽园区5工厂第二晶圆厂提前开工以及“孪生晶圆厂”战略，在生产速度和产量扩张上押注；SK海力士则通过扩建后工序设施，着力强化封装与测试竞争力。

“连HBM都盯上了”……三星·SK在中国追赶下如何守住“超越性差距”[芯片Talk]

尽管国内两大存储企业不断扩大投资，但在存储器超级景气周期中，中国存储企业也纷纷入局，业内普遍认为决不能放松警惕。有舆论指出，为保持“超越性差距”，必须进行更为激进的投资和技术创新。

高喊“更多、更快”的三星…即将供应第7代HBM

三星电子认为，正是当前业绩良好的当下，更应加大投资以巩固超越性差距。三星电子在HBM竞争中一度似乎落后于SK海力士，但在今年2月成功实现全球首次第6代HBM4量产出货后，正按计划推进扩产。公司计划在第二季度向主要客户提供支持每引脚16Gbps速度和每秒4.0TB带宽的第7代HBM（HBM4E）样品。

大规模扩产也在加速推进中。三星电子将京畿道平泽园区最后一条生产线P5第二晶圆厂的开工时间，从原定的明年年初提前约6个月至今年7月，目标投产时间为2029年。尤其是该工厂将以与现有P5结构完全相同的“孪生晶圆厂”形式建设。通常，半导体生产线设计一旦发生变化，客户需要耗时数月重新验证良率和质量；而在结构相同的晶圆厂中，这一过程可在相当程度上被省略。鉴于在半导体市场中供应速度日益重要，三星的策略是通过缩短验证程序，迅速增加供应。

SK海力士斥资19万亿韩元巩固“封装领导力”

如果说三星电子是凭借压倒性的速度和产量一决高下，那么SK海力士则将精力集中在先进封装和质量竞争力的强化上。

SK海力士近期在忠清北道清州投资约19万亿韩元，开工建设先进封装专用生产基地“P&T7”。该设施将专门负责把半导体芯片封装成产品形态并进行最终质量验证等后工序。

将成为第6代（1c）DRAM核心生产基地的龙仁集群一期晶圆厂洁净室，也将比原计划提前3个月，于明年2月启用。公司计划通过尽早 확보作为HBM4改进产品HBM4E基础的1c DRAM产能，延续其技术领导地位。

“中国半导体2~3年即可追上…一旦停止投资超越性差距将被动摇”

尽管投资不断扩大，专家们仍一致认为，为甩开中国的追击，必须采取比现在更为激进、前瞻性的应对措施。代表中国存储半导体的长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在除通用DRAM之外扩充HBM产能，加紧追赶韩国存储企业。

在合肥和北京拥有3座12英寸晶圆厂的CXMT，为应对存储需求增加，今年下半年正在向上海工厂导入设备。建成后，其产能预计将达到合肥工厂的2~3倍。不仅通用DRAM产能在扩张，三星电子和SK海力士目前占据寡头地位的HBM产线也在扩建。

YMTC则以明年投产为目标，在武汉建设第三座闪存工厂，并在探索HBM生产。上月还有消息称，公司将另外新建两座工厂。

上明大学系统半导体工学系教授 Lee Jonghwan 表示：“中国半导体企业要追上三星电子和SK海力士，至少还需要2~3年以上时间，技术差距依然存在。”但他也认为，为维持这一差距，持续的技术开发和大胆投资是必不可少的。他强调：“半导体竞争力的核心要素是良率提升，必须通过开发下一代技术，不断提高良率。”

他还主张，韩国企业应积极在超越存储芯片市场的代工（委托生产）领域展开主导权竞争。Lee 教授解释称：“虽然三星电子目前正经历罢工等内部困难，但既然客户仍在持续增加，就必须扩大产量，缩小与台积电（TSMC）的差距。”