AI从“学习”转向“推理” 带动NAND需求激增
三星与SK全力推进最先进工艺转型
SK Hynix NAND单季营收首次突破10万亿韩元
继DRAM之后崛起为新的业绩“摇钱树”

曾一度深陷亏损泥潭、被半导体业界称为“棘手问题”的NAND闪存,正预告华丽回归。随着其作为人工智能(AI)“推理”核心支柱的地位日益稳固,NAND正成长为可与DRAM比肩的盈利来源。尤其是近期三星电子与SK海力士纷纷加快向NAND最先进工艺的转型,记忆体市场的话语权之争正从DRAM迅速延伸到NAND。


三星押注“低时延·超大容量” vs SK发力“Solidigm协同效应”

据业界2日消息,三星电子已经完成下一代NAND解决方案产品——PCIe第6代(Gen6)固态硬盘(SSD)的量产准备工作,并在初期样品评估中获得主要客户的积极反馈。PCIe第6代相比上一代数据传输速度提升约2倍,是为需要实时处理海量数据的AI推理服务器优化的接口。三星电子计划借此抢占今年下半年开始全面起量的下一代AI服务器及数据中心需求。

三星电子的四层单元(QLC)第9代V-NAND。三星电子供图

三星电子的四层单元(QLC)第9代V-NAND。三星电子供图

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在四比特单元(QLC)领域,三星也在加速向第9代(V9)转换。公司计划以今年3月完成开发的“1Tb QLC”为基础,扩展包括“256TB服务器用SSD”在内的超大容量产品线。这被解读为一项在数据访问频繁的AI工作负载中,将数据迁移延迟降至最低并最大化存储利用率的战略。


SK海力士同样为了向“AI定制化解决方案”转型,加快推进NAND最先进工艺的导入。其NAND子公司Solidigm本月在加拿大温哥华新设立了“AI SSD平台开发中心”。此举旨在强化研发能力,将旧工艺生产线升级为最前沿工艺。据悉,SK海力士计划在年内将其国内NAND产量的50%转为321层(第9代)最先进工艺。321层是目前层数最高的NAND,被视为通过极大提升数据集成度、增强成本竞争力的关键高地。

SK海力士开发的“321层 2Tb QLC NAND”。SK海力士供图

SK海力士开发的“321层 2Tb QLC NAND”。SK海力士供图

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尤其是SK海力士计划通过将总部的“高性能·高速产品”与Solidigm的“基于大容量QLC的企业级SSD(eSSD)”相结合,实施“双轨战略”,构建面向AI数据中心的全产品线。公司已经率先完成基于321层QLC产品的客户认证,为抢占市场奠定了基础。


AI“推理”驱动……NAND身价飙涨7倍

NAND的这轮复苏,与AI产业重心从利用数据训练模型的“学习”阶段,转向由已完成训练的模型输出结果的“推理”阶段这一范式转变紧密相连。英伟达等主要AI企业提出,将推理过程中产生的数据不仅存放在高带宽存储器(HBM)中,还要扩展至NAND为基础的存储系统,由此高性能存储的重要性不断提升。


尤其是在推理过程中,用于临时存储并快速调用大规模中间数据的“KV缓存(KV Cache)”技术正成为核心,而为处理这类数据,具备高能效和高速数据处理能力的高性能企业级SSD已成为必备部件,带动NAND价格大幅上涨。


实际价格指标正呈现陡峭的上升曲线。根据市场调研机构TrendForce的数据,今年第2季度企业级SSD合约价格预计将环比上涨48%至53%。继第1季度之后,连续两个季度维持接近50%的急涨态势。部分标准品价格在短短1年内暴涨近7倍。与此同时,主要厂商为生产HBM而将部分DRAM产线进行产能分配,导致NAND相对生产能力下降,叠加这一“挤出效应”,供应不足问题进一步加剧。


市场普遍预计,至少到2027年之前,目前这种供需紧张局面仍将持续。尽管美光宣布在新加坡投资240亿美元建设NAND晶圆厂,SK海力士也在推进大连二厂扩产,但距离实际量产仍存在相当长的前置期。DS投资证券研究员Lee Surim表示:“中国企业也主要局限于面向中国内需和通用型产品,对全球数据中心供需的影响预计有限。”


主要存储厂商的业绩指标同样反映出NAND的增长势头。SK海力士今年第1季度NAND销售额达到11兆410亿韩元,历史上首次突破10兆韩元大关,同比激增248%。证券业界估算,三星电子第1季度NAND营业利润率约为53%,并预计NAND将成长为存储半导体新的“摇钱树”。



一位半导体业界相关人士表示:“市场重心依然主要集中在HBM等DRAM产品上,这是事实,但NAND的盈利能力已经与过去不可同日而语”,“今后厂商之间的竞争将不再只是简单的扩大量之争,而是比拼谁能提供更适配AI环境的定制化解决方案,这将是一场围绕‘体质改善’展开的较量。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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