三星电子将于GTC首秀HBM4E…与Nvidia深化AI联盟

by Kim Jinyeong

Published 17 Mar.2026 05:30(KST)

Updated 17 Mar.2026 07:42(KST)

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基于1c DRAM与4纳米晶圆代工的HBM4E
唯一为Vera Rubin平台提供完整存储器整体解决方案

三星电子将在即将于16日至19日（当地时间）在美国圣何塞举行的英伟达 GTC 大会上首次公开第7代高带宽存储器 HBM4E。公司计划凭借覆盖存储器、逻辑设计、晶圆代工（半导体代工生产）、先进封装在内的综合半导体企业（IDM）实力，强化与英伟达的战略合作伙伴关系。

三星电子将展台划分为 ▲AI工厂 ▲端侧（On-Device）AI ▲物理AI 三大区域，介绍包括 GDDR7、LPDDR6、PM9E1 在内、技术实力已获正式认可的下一代三星存储器架构。

活动第二天即17日，在英伟达的特别邀请下，三星电子 AI 中心负责人 Song Yongho 将发表演讲，阐述引领人工智能（AI）基础设施创新的英伟达下一代系统的重要性，以及为其提供支持的三星存储器整体解决方案愿景。

三星电子在本次展会上设置了“HBM4 Hero Wall”，通过展台动线设计，使观众首先聚焦三星在 HBM 技术方面的领先地位。

三星电子基于通过量产 HBM4 所积累的 1c DRAM 工艺技术竞争力，以及三星晶圆代工 4纳米基底芯片设计能力，首次公开了 HBM4E 实体芯片和核心芯片晶圆。计划支持每引脚16Gbps 速度和 4.0TB/s 带宽。

此外，三星电子还通过视频展示了与 TCB（热压键合）相比可将热阻改善20%以上、并支持16层以上高堆叠的 HCB（混合键合）技术，强调了面向下一代 HBM 的三星封装技术竞争力。

尤其是，三星电子借此次展会凸显出其作为全球唯一一家，能够及时向英伟达 Vera Rubin 平台供应全部存储器和存储设备的整体存储解决方案能力。

三星电子单独设置了“英伟达画廊”，展出 ▲用于 Rubin 图形处理器（GPU）的 HBM4 ▲用于 Vera 中央处理器（CPU）的 SOCAMM2 ▲存储设备 PM1763，以突出双方的合作。三星电子 SOCAMM2 是一款基于 LPDDR 的服务器用内存模组，已完成质量验证，并率先在业内实现量产出货。

三星电子基于 PCIe Gen6 的服务器用固态硬盘（SSD）PM1763 将作为 Vera Rubin 平台的主存储设备。三星电子在展台内通过搭载 PM1763 的服务器直接演示英伟达 SCADA 工作负载，不仅介绍规格参数，还让参观者在现场切身感受其业内顶级性能。此外，为提升推理性能和能效，三星电子计划向在 Vera Rubin 平台中新引入的 CMX 平台供应基于 PCIe Gen5 的服务器用 SSD PM1753。