三星凭HBM4性能力挽狂澜…下月向英伟达首供

by Park Joonyi

Published 29 Jan.2026 10:13(KST)

英伟达、AMD等获正式供货
提升速度与功耗表现获客户认可
采用1c纳米DRAM尖端工艺
HBM供应持续紧张，出货量有望增加

三星电子凭借第6代高带宽存储器（HBM4），在人工智能存储器市场展开反攻。据业内消息，三星电子将从下月起向美国英伟达（NVIDIA）、超微半导体公司（AMD）等主要全球客户正式供应HBM4。公司在通过两家公司的最终品质测试后，计划最快自下月起开始量产。此前在HBM3E（第5代）领域将主导权拱手让给竞争对手的三星电子，能否以HBM4为起点重拾技术领导力，备受关注。

据业内29日消息，近期三星电子通过了英伟达、超微半导体公司等实施的HBM4相关最终品质测试，随即从下月起着手全面备货出货。传出消息称，三星电子成功实现HBM4技术后，正获得全球客户的积极评价。

去年10月22日，在首尔江南区COEX举行的“2025半导体大展”上，参观者正在观看三星电子展出的HBM4相关产品。尹东柱记者提供

在主力产品HBM3E供货竞争中落后于SK海力士和美国美光科技的三星电子，为在HBM4市场扭转战局，将重心放在“性能实现”上。其将动态随机存取存储器（D-RAM）采用比竞争对手领先一代的10纳米（nm，1nm=10亿分之1米）第6代（1c）产品，并在起“大脑”作用的逻辑芯片上采用比竞争对手领先数代的4nm代工（半导体代工生产）这一先进工艺。去年第4季度，包括英伟达在内的主要客户为提升人工智能（AI）加速器性能，要求提高HBM4的工作速度，据悉三星电子在无需重新设计的情况下便通过了验证。

三星HBM4实现了11.7Gbps（每秒千兆比特）的速度，充裕地满足了人工智能加速器厂商提出的“10Gbps以上”规格要求。据悉，通过在相较前代HBM3E扩大用于数据传输的输入输出（I/O）引脚数量，在单一堆叠标准下，将存储器带宽提升至约3TB/s。功耗效率也大幅改善。传出消息称，三星电子通过基于4纳米的基底芯片设计优化，将相较前一代的能源效率提升了约40%。在高速运行环境下也将发热降至最低，被评价为能够为下一代人工智能加速器的运行提供支撑。

三星电子之所以能在HBM4上取得技术竞争力，被认为得益于其作为垂直整合半导体制造商（IDM）的结构性优势。三星电子同时具备存储器、代工和封装能力，在HBM4基底芯片上应用自有的4纳米代工工艺，从设计到量产实现有机优化。在此基础上，再叠加最前沿的1c纳米动态随机存取存储器，被认为同时兼顾了性能和良率。