SK海力士在清州新建“19万亿韩元”先进封装工厂，应对AI存储需求

为应对近期激增的人工智能（AI）存储器需求，SK海力士决定在忠清北道清州新建一座先进封装晶圆厂（工厂），投资规模高达19万亿韩元。

SK海力士新建P&T7工厂鸟瞰图。SK海力士新闻室供图

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SK海力士13日在公司新闻室发布题为《关于先进封装封测（P&T）新投资的说明》的文章，表示将建设名为“P&T7”的先进封装晶圆厂，并公布了上述内容。

P&T7总投资规模为19万亿韩元，将在清州科技城产业园区内约7万坪（约23万平方米）的用地上建设。计划于今年4月动工，目标在2027年底前完工。

公司表示：“在先进封装工艺中，从联动、物流到运营稳定性等方面来看，与前道工序的接近性极为重要。我们对国内外多处候选地进行了检讨，在兼顾强化半导体产业竞争力和实现区域均衡发展的必要性后，最终决定在清州建设P&T7。”

业界认为，此次投资既契合政府推动区域均衡发展的政策基调，又是为了强化高带宽存储器（HBM）等未来半导体竞争力的战略性布局。

P&T7是一座将前道晶圆厂生产的半导体芯片加工为最终产品形态，并进行最终质量验证的“先进封装”晶圆厂。前道工序是在存储器半导体制造过程中，在晶圆上形成电路以实现存储单元和器件的阶段。经过前道工序的芯片，在被划分为封装与测试的后道工序中，经过切割、封装和验证，最终成为可实际使用的产品。属于后道工序的先进封装，是在制造HBM等AI存储器时决定性能和能效的核心技术。

由此，SK海力士在首都圈京畿道利川、非首都圈清州以及美国印第安纳州西拉法叶三地，共布局了三处先进封装生产基地。其中，SK海力士清州园区通过本次投资，完成了涵盖NAND闪存、HBM、DRAM等生产以及先进封装在内的一体化半导体集群体系。清州目前已在运行生产NAND的M11、M12、M15晶圆厂以及负责后道工序的P&T3。此外，为了在2024年起确保HBM等下一代DRAM的生产能力，公司还决定总投资20万亿韩元建设M15X。M15X较原计划提前于去年10月开放洁净室，目前正依次安装设备，即将进入投产倒计时阶段。

SK海力士计划通过晶圆厂之间的有机联动，从长期角度强化AI存储器竞争力，并主动应对不断增长的HBM需求。尤其是在将前道晶圆厂M15X生产的DRAM产品化为HBM的过程中，P&T7预计将发挥重要作用。

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此外，SK海力士表示，在围绕地方投资的意义和作用展开多方讨论的背景下，公司关注到区域均衡发展的重要性以及对整个产业生态的积极影响，因此做出了此次投资决定。“通过对清州P&T7的投资，我们希望超越短期效率和得失，从中长期角度强化国家产业基础，助力构建首都圈与地方共同成长的发展结构”，并称“期待政府政策与企业努力相结合，最终转化为提升国家竞争力的成果”。

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