景气高峰暴露生产结构瓶颈
中国全面追赶、市况重组加速
需为后HBM时代提前布局下一代技术转型

“韩国半导体正享受史上最繁荣景气的当下,反而是危机之时。这意味着,这一时点可能成为中国全面进入半导体主流领域的元年。”


出自国内主要半导体企业内部的这句话,最准确地概括了当前韩国半导体所面临的现实。未来5年内,美国和中国为通过开发超级人工智能(AI)而争夺AI霸权的技术竞争,将激烈到可与过去美苏太空开发竞赛相提并论的程度。这场巨大竞争带来了前所未有的需求激增,为韩国送来了繁荣,但同时也更快暴露出产业结构的薄弱环节以及中国追赶速度之快。


一线最常出现的说法是“很难完全满足客户提出的全部订单量”。需求飙升,但韩国半导体的生产结构已经触及物理极限。高带宽存储器(HBM)堆叠工艺正逼近技术极限,从封装、电力到厂址获取,整个工艺链条都遭遇彼此交织的瓶颈。比如,SK海力士的年度用电量每年增长超过7%,基础设施问题也正成为现实。当前的供应不足并非简单的供需失衡,而是一种信号:韩国既有的生产结构很难跟上AI时代的速度与规模。

10月22日,在首尔江南区COEX举行的“半导体大展(SEDEX) 2025”上,SK海力士展台展出了第六代高带宽存储器HBM4实物。联合新闻提供

10月22日,在首尔江南区COEX举行的“半导体大展(SEDEX) 2025”上,SK海力士展台展出了第六代高带宽存储器HBM4实物。联合新闻提供

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中国正迅速填补这一空白。中国政府在过去10年里投入约140万亿韩元,持续提升产能,如今在部分通用产品领域,已经可以观察到客户订单实际向中国转移的动向。这样的市场变化表明,核心竞争力已经不再仅是价格优势,而是能否在恰当的时间稳定供货的能力。韩国企业若放缓扩产,就会被抢走市场份额;若盲目大规模扩产,又会在需求调整期承受最沉重的冲击。


预计到2030年,中国将在成熟制程半导体生产中占据一半以上份额。这一变化将直接撼动韩国长期维系的通用产品市场基础。思考短期是否扩大产量固然重要,但更根本的问题是下一代技术的转换。HBM虽然已成为当前AI半导体的主流,但正面临发热与功耗等技术难题,关于向玻璃基板或高带宽闪存(HBF)等新型存储技术转型的可能性也正在被讨论。


若要阻止追击,就不能只死守当前这头“现金牛”HBM的竞争,而是要加快向下一代结构的技术转型,并且要抢先培育与这种结构相匹配的市场。最终,在下一轮周期——也就是AI半导体景气之后的阶段——谁拥有能够撑得住的产业结构,谁才具备未来真正的竞争力。结构性转型越拖延,当下这段甜蜜的繁荣就越有可能更快转化为风险。



据称,自约10年前起,三星电子会长 Lee Jae-yong 就曾多次对主要经济界人士表示:“半导体最终也会被中国赶上,所以现在就必须再准备下一个阶段。”在当时听上去似乎有些杞人忧天,但如今的产业现实充分印证了这句话的含义。有必要预判在超AI竞争掀起的巨大浪潮退去之后,将会留下怎样的产业版图,并据此构筑能够撑过那一阶段的结构。韩国半导体未来20年的走向,以及这一产业能否继续作为韩国经济“支柱”,将取决于当下这轮景气被投入到哪里、又是以何种方式加以运用。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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