Jun Younghyun：“回归初心，重振三星根本技术实力”
三星电子成立56周年纪念仪式
提出“跃升为AI运球公司”
“三星电子迎来重大拐点”
三星电子半导体（DS）部门负责人（副会长）Jun Younghyun 31日强调称：“要回到创业初心，聚焦于技术本质和品质完성度，恢复根本性竞争力。”三星电子在前一天公布的第三季度业绩中，正式宣布向英伟达供应第5代高带宽存储器（HBM）3E，舆论认为这体现出其对技术实力恢复的自信。
Jun副会长当天在水原数字城举行的三星电子成立56周年纪念仪式上表示：“在内外部环境不确定性持续的情况下，三星电子正站在一个重大的拐点上。”他接着说：“我们不能做追随变革的企业，而要成为引领人工智能（AI）创新的企业”，并将“三星今后应当迈向的蓝图”概括为“AI Driven Company（AI驱动型公司）”。
Jun副会长此次提出“恢复根本性竞争力”的说法，与他去年在成立纪念仪式上的表述相比，基调有所不同。当时他在与副会长Han Jonghee共同发表的纪念致辞中曾强烈要求变革，称“从工作方式到发掘新的增长动力，都要以全新的方式来推进”。
今年，随着三星电子半导体业务复苏，迎来了转折。第三季度公司整体营业利润为12兆1661亿韩元，其中超过一半、约7万亿韩元来自半导体业务，并在时隔2年后再次取得向英伟达供应HBM3E 12层产品的成果。
外界评价认为，Jun副会长在出任部门负责人仅1年5个月之际，便恢复了三星半导体在全球市场展现出的技术实力和地位，并开辟了新的出路。自2024年5月上任后，他做的第一件事就是自我反省并对问题进行明确诊断。Jun副会长在当时的就任致辞中并未回避公司半导体业务所面临的危机。他直言：“2023年半导体部门创下公司成立以来的最大亏损，原本稳居第一的存储器业务正面临猛烈挑战”，“晶圆代工（半导体代工生产）业务也未能缩小与领军企业台积电（TSMC）之间的差距，系统LSI业务同样难以摆脱苦战。”据传，他向公司内部传达的关键信息是“先把原本在做的事情真正做好”。
此后，他着手调整曾将三星半导体推上世界巅峰的动力——DRAM。尽管在市场竞争中落后的HBM是当下亟待解决的课题，但考虑到HBM是通过堆叠DRAM制成的产品，他判断，只要重振DRAM，在HBM领域同样能够获得竞争力。
三星DS部门对此前一直坚持的DRAM设计方式进行了全面“清零式”重构，按照英伟达等客户的需求方向重新设计DRAM。据传，每当DRAM完成新一轮开发时，Jun副会长都会亲自携带样品，前往位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的英伟达总部，向当地管理层推介产品。业内人士透露，今年以来，他在2月携带采用10纳米（1纳米=10亿分之一米）级第5代1b工艺设计的DRAM样品前往英伟达总部一次，5月又带着采用10纳米级第6代1c工艺设计的DRAM样品再度造访英伟达总部。
晶圆代工业务也在接到特斯拉、苹果等全球企业的AI芯片生产订单后，呈现上升势头。由于Jun副会长目前将主要精力放在HBM等存储器业务上，晶圆代工业务的指挥棒事实上交由晶圆代工事业部部长（社长）Han Jinman掌舵，但也有分析认为，在整体运营与方向设定方面，Jun副会长的统筹指挥作用不容忽视。
在当天的致辞中，他明确将AI作为目标方向，并呼吁“让我们成为以最高水平技术赢得尊敬的企业”。Jun副会长表示：“AI已经打破产业边界，正在重新塑造世界”，“三星电子将全面融合自身独有的技术实力与AI能力”。他接着强调：“要积极运用AI，革新客户需求及相关生态系统，跃升为‘AI Driven Company（AI驱动型公司）’。”
当天的成立纪念仪式在约400名管理层与员工出席下举行，依次进行了长期服务奖及模范奖颁奖、庆祝演出、成立纪念致辞以及纪念视频观看等环节。
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