22日韩国半导体大展同台亮相
国内首次公开…炫技AI内存技术
与美光展开HBM4“三国战”并供应样品
SK展出PIM、eSSD、GDDR等产品
三星推出搭载于Flip的Exynos 2500
材料与设备企业展区同样吸睛…展至24日

在全球高带宽存储器(HBM)市场中,为争夺领跑者位置而竞争的SK海力士和三星电子,首次在国内向公众展示下一代产品HBM4 12层实物,彰显技术实力。


22日,在三成洞COEX举行的第27届半导体大展现场展位上展出的SK海力士HBM4 12层产品实物。记者 Kim Hyeongmin

22日,在三成洞COEX举行的第27届半导体大展现场展位上展出的SK海力士HBM4 12层产品实物。记者 Kim Hyeongmin

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两家公司在22日于首尔江南区三成洞COEX举行的“第27届半导体大展(SEDEX 2025)”上,在各自展台堪称“主舞台”的正中央区域设置了HBM4 12层实物产品展示区。两家公司在280家参展企业中占据了面积最大的展位。SK海力士在D馆搭建了全馆最大展台,三星电子则在C馆占据了最大面积。SK海力士不仅展出了HBM4 12层实物,还通过结构模型、视频等方式介绍产品结构。三星电子则将HBM3E 12层实物产品与HBM4 12层并排展出,强调三星电子正在HBM领域开发先进技术。


SK海力士和三星电子正与美国的美光一道,围绕向英伟达供应HBM4展开激烈竞争。三家公司都已向英伟达提供HBM4 12层产品样品,正等待回复。业界预计,它们将根据英伟达的意向,尽快接受该产品的质量验证测试(Qual Test),并最终确定是否供货。据悉,SK海力士和三星电子的HBM4在设计方式上存在一定差异。SK海力士采用10纳米级第5代1b制程工艺生产产品;相反,三星电子选择了10纳米级第6代1c制程工艺。业界传出消息称,SK海力士认为在不冒过大风险的前提下,仅凭1b工艺就足以开发并量产HBM4,而三星电子则为打造更优产品而选择1c工艺,进行了更具挑战性的尝试。业内认为,哪一种选择更为正确,预计将在是否获得英伟达供货订单尘埃落定后见分晓。


22日,在三成洞COEX举行的第27届半导体大展现场展位上展出的三星电子HBM3E 12层、HBM4 12层产品实物。记者 Kim Hyeongmin 提供

22日,在三成洞COEX举行的第27届半导体大展现场展位上展出的三星电子HBM3E 12层、HBM4 12层产品实物。记者 Kim Hyeongmin 提供

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两家公司在当天的展会上除HBM4外,还展示了人工智能(AI)时代所需的多种存储与非存储技术及产品。SK海力士展出了图形动态随机存取存储器(GDDR)、存内处理(PIM)、企业用高性能固态硬盘(eSSD)等产品。三星电子则展出了据悉将全量搭载于Galaxy Z Flip 7上的智能手机应用处理器(AP)“Exynos 2500”实物,颇为吸睛;同时还介绍了代工(半导体委托生产)制程技术,称已从特斯拉、苹果等全球企业获得芯片制造订单,业务活力明显提升。


材料·零部件·设备企业也纷纷拿出各自的代表性产品,吸引观众目光。韩美半导体在国内展会上首次展示了用于HBM4生产的新设备“TC Bonder 4”,以及用于AI逻辑半导体的“2.5D大芯片TC Bonder”和“大芯片FC Bonder”等产品。



半导体大展将以“跨越极限,联结创新”为主题持续至24日。韩国半导体产业协会表示,将通过本次展会展示AI时代半导体产业应当推进的两大核心战略:一是突破既有技术的物理极限,二是有机联结整个生态系统以加速创新。在大会主旨演讲环节,将由代表技术、政策与生态系统的三位核心领袖指明韩国半导体产业的发展方向。开幕日22日,Samsung Electronics首席技术官(CTO)Song Jaehyuk将以“通过协同实现半导体创新”为题发表演讲;中央大学特聘教授(前产业通商资源部部长)Sung Yunmo将以“半导体产业霸权竞争动向及政策建议”为题进行演讲;Amkor Technology Korea代表理事Lee Jin-an将以“半导体生态系统中的先进封装领导力”为题,勾勒AI时代半导体产业的蓝图。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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