完成321层QLC NAND开发并启动量产
明年起全面进军“AI服务器用eSSD”市场
SK海力士即将开始量产一款面向人工智能（AI）服务器的超大容量企业级固态硬盘（eSSD）用新型NAND闪存产品，该产品进行了最优化设计。NAND竞争力的核心要素是通过将存储单元垂直堆叠以提升数据容量的堆叠技术，SK海力士在本次产品中应用了“目前业界最高集成度”技术。公司称，不仅实现了适用于AI服务器需求的高容量·高性能产品组合，还同时确保了成本竞争力。
SK海力士25日表示，已完成321层、2TB四比特单元（QLC）NAND产品开发，并正式启动量产。NAND是一种即使断电数据也能保存的非易失性存储半导体。根据在一个存储单元（Cell）中可存储的信息数量（以比特为单位）不同，可分为单比特单元（SLC·1比特）、多比特单元（MLC·2比特）、三比特单元（TLC·3比特）、四比特单元（QLC·4比特）、五比特单元（PLC·5比特）等规格。
本次产品是针对AI服务器用超大容量eSSD进行优化的产品。该领域是近期大型信息技术企业（Big Tech）不断加大投资的方向，体现了SK海力士希望快速抢占市场主导权的开发战略。SK海力士一位相关负责人表示，“我们首次在全球范围内将300层以上NAND以QLC方式实现，再次突破了技术极限”，并强调，“凭借这款在现有NAND产品中拥有最高集成度的产品，通过全球客户认证后，将从明年上半年起正式进军AI数据中心市场”。
尤其是为了最大化成本竞争优势，本次产品容量在原有基础上提升一倍，开发为2TB。NAND容量越大，在单个存储单元中要存储的信息就越多，内存管理也越复杂，从而导致数据处理速度变慢。为解决因大容量化带来的性能下降问题，SK海力士将NAND内部可独立运行的分组单位——Plane（平面）数量由4个增加到6个，使其能够进行更多并行作业。其中，Plane是指在一枚芯片内部可以独立运行的存储单元和外围电路的集合。
其结果是，本次产品在提供大容量的同时，实现了相较以往QLC产品大幅提升的性能。数据传输速度提升了100%，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。数据写入的能效也提高了23%以上，从而在对低功耗有要求的AI数据中心等领域获得了竞争力。
公司计划先在个人电脑用SSD中采用321层NAND，随后将应用领域扩展至数据中心用eSSD以及智能手机用通用闪存存储（UFS）产品。进一步而言，公司还将通过一次性堆叠32颗NAND芯片的自有封装技术，实现更高集成度，进而进军AI服务器用超大容量eSSD市场。
SK海力士负责NAND开发的副社长Jung Upyo表示：“通过本次产品的量产，我们大幅强化了高容量产品组合，并同时确保了价格竞争力”，“今后将顺应爆发式增长的AI需求和数据中心市场对高性能的要求，作为‘全栈AI存储供应商（Full-Stack AI Memory Provider）’实现更大飞跃”。
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