Hanmi Semiconductor于4日表示，已开始生产面向下一代人工智能（AI）半导体核心存储器HBM4的专用设备“TC BONDER 4”。
“TC BONDER 4”是今年5月以原型机（prototype）形式推出的新设备，将从今年下半年开始正式供应。全球高带宽存储器（HBM）制造企业计划在今年下半年开始HBM4量产。
Hanmi Semiconductor的“TC BONDER 4”针对对极高精度有要求的HBM4特性，在大幅提升较以往产品精度的同时，在提高多层堆叠HBM的结构稳定性方面发挥核心作用。此外，通过升级软件功能，也大幅改善了用户便利性。
业内部分人士认为，为了生产HBM4，需要采用下一代键合技术。但Hanmi Semiconductor大幅改进了现有TC BONDER的性能，并采用了新的键合技术，成功开发出可用于HBM4生产的设备。此外，从客户角度看，TC BONDER 4设备相比无助焊剂工艺和混合键合设备，能够降低采购单价，预计将成为全球HBM制造企业的优先选择。
作为第6代高带宽存储器的HBM4，相比现有第5代（HBM3E），速度提升60%，而功耗降至约70%，实现了突破性的性能改善。其最多可堆叠至16层，每颗动态随机存取存储器（D-RAM）的容量也从24Gb扩展至32Gb。作为数据传输通道的硅通孔（TSV）接口数量也从上一代的基础上增加一倍，达到2048个，大幅提升了处理器与存储器之间的数据传输速度。
Hanmi Semiconductor相关负责人表示：“公司已构建大规模生产体系，确保‘TC BONDER 4’能够无缝满足全球存储器企业的HBM4量产计划需求。”他还表示：“通过此次HBM4专用设备的供应，将在全球AI半导体市场继续保持领先地位。公司将以‘客户满意’和‘客户平等’为方针，全力提升客户公司的满意度。”
成立于1980年的Hanmi Semiconductor是一家拥有全球约320家客户的国际半导体设备企业。自2002年设立知识产权部门以来，公司也专注于知识产权的保护与强化，目前已申请约120件与HBM设备相关的专利。Hanmi Semiconductor在用于HBM3E 12层堆叠生产的TC BONDER市场中占有90%以上的市场份额，技术优势压倒性突出。
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