一场面向至2040年、提前展望未来15年高带宽存储器半导体（HBM）架构与结构、性能及各代特性的技术发布会即将举行。
KAIST电气与电子工程系 Kim Jungho 教授课题组（TERA Lab）于28日表示，将于今年6月11日上午9时起举办“下一代 HBM 路线图（2025~2040）技术发布会”，从 HBM4 到 HBM8，集中展望在人工智能（AI）时代发挥核心作用的下一代 HBM 的架构与结构、性能和特性等 HBM 未来全景。
课题组方面解释称，在急剧变化的技术霸权竞争格局下，本次会议旨在为韩国半导体产业指明前进方向，并分享作为AI半导体核心支柱而崛起的下一代 HBM 技术开发的具体路线图。
本次技术发布会上，除逐代 HBM 的结构、性能和特性外，还将介绍为实现 AI 半导体运算速度的飞跃式提升和改善所必需的数据带宽扩展相关技术，如硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）、中介层（Interposer）、深刻蚀（Deep Etching）技术等，以及为确保电气可靠性的混合键合技术、为解决发热问题的冷却用 TSV 技术等多种核心要素技术的发展方向和为攻克难题所开展的研究内容。
本次发布会将于6月11日上午9时至下午5时40分通过 Zoom 平台进行约8小时的线上直播，并计划通过课题组主页在 YouTube 上公开。
由有“HBM 之父”之称的 Kim Jungho 教授领衔的课题组在过去20多年间一直引领全球 HBM 相关设计技术，自2010年起还直接参与了实际 HBM 商用化设计。近期，该课题组也在并行推进利用人工智能实现 HBM 设计自动化的研究，通过将强化学习与生成式 AI 结合，引领 HBM 电气与热特性最优化研究。
Kim Jungho 教授表示：“本次技术发布会旨在提升产学研各界对已成为 AI 半导体核心支柱的 HBM 相关技术未来发展的理解，并为韩国半导体产业的可持续增长作出贡献，因此特意筹备此会，介绍学生们迄今为止围绕下一代 HBM 所开展研究中的技术构想和发展方向。”
Kim Jungho 教授接着补充说：“今后将把本次发布内容与三星电子、SK海力士等韩国主要半导体企业共享相关信息，如有机会，也考虑在硅谷等海外地区举办发布会。”
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