[独家]三星电子首款2纳米芯片将于今年11月面世

三星电子选择了将适用2纳米（1纳米＝10亿分之一米）先进工艺的首款产品定为下一代移动芯片组“Exynos 2600”。也就是说，决定从今年11月开始量产Exynos 2600。产品量产时间点已经敲定，被解读为在2纳米工艺上已稳定地 확보良率的信号。外界关注在持续陷入苦战的晶圆代工业务能否借此迎来反弹的踏板。

三星电子移动芯片组Exynos。三星电子提供

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一位熟悉三星电子内部情况的相关人士10日表示：“公司内部已将Exynos 2600的量产时间确定为今年11月，目前正在进行测试”，“据我所知，良率也已经提升到相当水平。”据悉，今年年初在试制阶段良率达到约30%，最近已接近50%的水平。

Exynos是承担“智能手机大脑”角色的移动半导体，由三星电子非存储事业部负责开发和生产。由系统大规模集成电路事业部负责设计，在晶圆代工部门生产。

应用于Exynos 2600的SF2工艺，是晶圆代工事业部以今年下半年量产为目标开发中的下一代2纳米工艺。与3纳米一样，将采用环绕栅极（GAA）技术。与3纳米工艺相比，性能提升12%，电源效率提高25%，同时芯片面积缩小约5%。

此前，三星电子晶圆代工事业部负责人、社长Han Jinman在去年年底就任后向员工发送的首份信息中，将2纳米工艺的“快速爬坡（量产初期迅速扩大产量）”列为最优先课题。Exynos 2600量产时间表得以确定，被视为这一目标开始具体化的信号。

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Exynos 2600有望成为采用2纳米工艺的首款产品。去年开发的Exynos 2500采用的是3纳米工艺，但由于晶圆代工部门在3纳米良率提升上遇到困难，该芯片最终未能搭载在Galaxy S25上，转而由竞争对手高通的Snapdragon 8全线采用。

不过，即便三星电子将2纳米工艺良率提升到接近50%，与台湾台积电之间的差距依然存在。传出消息称，台积电今年年初2纳米初期良率已超过60%。

三星电子的首要目标，是在明年第一季度推出的Galaxy S26机型上搭载Exynos 2600。为此，晶圆代工事业部近期还专门组建了负责Exynos 2600工艺改进的专门团队。三星自2011年以移动应用处理器（Application Processor）品牌推出Exynos以来，此后一直与高通的应用处理器并用或全量采用。考虑到在全球应用处理器市场处于领先地位的高通几乎每年将价格上调15%至20%，为了实现“应用处理器自立化”，这也是一项必不可少的课题。

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半导体业界一位相关人士表示：“Exynos 2600将于5月进入试制品测试阶段，并将在下半年决定是否搭载于Galaxy S26”，“今年将在移动芯片组上最大化性能，明年则将追加用于高性能计算（High Performance Computing）的特殊节点，并以2027年实现1.4纳米量产为目标。”

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