“又是全球首创”……SK海力士率先布局HBM4，提供12层样品
向英伟达等提供HBM4 12层样品
量产目标在今年内完成
以12层为基准容量达最高水平
实现每秒超2TB数据处理带宽
高带宽存储器（HBM）领军企业SK海力士在第6代HBM4上也率先突围。其向全球客户最先提供HBM4 12层样品，抢在竞争对手之前，打开了通往HBM4时代的大门。
SK海力士19日表示：“面向人工智能（AI）的超高性能动态随机存取存储器（D-RAM）新品HBM4 12层样品，已全球首次提供给包括英伟达（NVIDIA）在内的主要客户。”公司说明称：“基于引领HBM市场的技术竞争力和量产经验，比原定计划更早出货HBM4 12层样品，正式与客户启动认证程序”，并表示：“量产准备也将在下半年内完成，从而巩固在下一代AI存储器市场中的地位。”SK海力士还计划在截至21日于美国圣何塞举行的英伟达AI大会“GTC 2025”上展出HBM4 12层产品模型。
据SK海力士介绍，此次作为样品提供的HBM4 12层产品，具备AI存储器应有的世界最高水平速度。以12层为基准，其容量同样为全球最大。该产品首次实现了每秒可处理2TB（太字节）以上数据的带宽。换算下来，相当于在1秒内处理400多部全高清（Full-HD）电影（每部5GB容量）级别的数据，比上一代HBM3E快了60%以上。HBM产品中的“带宽”是指单个HBM封装在1秒内可以处理的总数据量。
此外，公司采用了在前代产品中已证明竞争力的“先进MR-MUF工艺”，在HBM 12层结构下实现了36GB的最高容量。通过这一工艺，控制了芯片翘曲现象，并提升散热性能，将产品稳定性最大化。自2022年率先量产HBM3以来，SK海力士又在2024年业界首次实现HBM3E 8层和12层量产，通过HBM产品的及时开发与供应，持续巩固其在AI存储器市场的领导地位。
SK海力士AI基础设施总裁兼首席营销官（CMO）Kim Juseon表示：“本公司持续按照客户需求不断突破技术极限，已确立为引领AI生态系统创新的先行者地位”，并称：“今后也将基于业内最多的HBM供应经验，顺利推进性能验证和量产准备工作。”
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