“HBM开发功劳”……“姜大元奖”授予SK海力士副社长 Lee Kanguk 与教授 Kim Jungho
13日将在韩国半导体学术大会上颁奖
在半导体技术发展上开创新纪元的已故Kang Daewon博士为纪念对象而设立的“强大元奖”，今年的获奖者确定为SK海力士封装（PKG）开发负责人副社长Lee Kanguk，以及韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系教授Kim Jungho。
韩国半导体学术大会常任运营委员会12日表示，因对高带宽存储器（HBM）开发作出贡献的Lee副社长和Kim教授被选定为今年的获奖者。
Lee副社长在器件·工艺领域获奖。他是半导体封装领域的顶级技术专家。自2018年起，他在SK海力士担任晶圆级封装（WLP）开发负责人，主导开发HBM产品所需的封装技术。特别是在2019年开发第三代HBM产品HBM2E时，他成功导入被评价为封装创新技术的MR-MUF技术，被认为在帮助SK海力士抢占HBM市场优势、跃升为全球人工智能存储器领导者方面发挥了重要作用。
被称为“HBM之父”的Kim Jungho教授将在电路·系统领域获得强大元奖。
Kim教授在过去20年间一直在全球范围内主导HBM相关设计技术，自2010年起直接参与HBM商业化设计。近期，他还在研究包括第六代HBM——HBM4在内的下一代HBM结构和架构。
强大元奖是为了纪念世界上首次开发金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和浮栅的Kang Daewon博士，由韩国半导体学术大会常任运营委员会自2017年起设立并进行评选和颁奖。
另一方面，韩国半导体学术大会常任委员会计划于13日下午在江原道High1格兰德酒店举行的“第32届韩国半导体学术大会”开幕式上举办强大元奖颁奖仪式。本次学术大会包括三星电子、SK海力士、DB Hitek等半导体企业在内，国内4200名以上半导体领域产学研专家和学生将出席，发布创下历届最大规模的1659篇论文等，分享研究成果。
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