美向三星半导体发放690亿美元补贴比原案削减26%…泰勒工厂投产更有动力

by Kim HyeongMin

Published 21 Dec.2024 09:05(KST)

4月原案9.2万亿韩元略有下调
疑受三星调整投资计划影响
投资规模改为“370亿美元以上”
反映全球投资“效率化”等中长期规划
利用补贴，加紧准备泰勒工厂投产
或将加大微细工艺开发和客户引进力度

美国政府最终决定向在美国当地建设大规模半导体生产设施的三星电子发放47.45亿美元（约6.9万亿韩元）补贴。与双方在今年4月签署预备交易备忘录时公布的64亿美元（约9.2万亿韩元）相比，减少了约26%。

三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆代工厂。照片由三星电子提供

虽然金额较最初方案有所缩减，但最终敲定长期等待的补贴发放，具有重大意义。由此，三星电子有望加快以2026年投产为目标的泰勒工厂建设进度。

美国商务部于当地时间20日表示，在完成预备交易备忘录签署和部门层面的实地尽调后，将依据《芯片与科学法案》，向三星电子直接发放约6.9万亿韩元的补贴。

商务部解释称，该笔资金将用于支持三星在未来数年内投资超过370亿美元（约53万亿韩元），把位于得克萨斯州中部的现有半导体生产设施，打造为美国境内先进半导体开发与生产的综合生态体系。

美国商务部长Gina Raimondo在声明中表示，“通过此次对三星的投资，美国成为全球五大最尖端半导体制造企业全部进驻的唯一国家。”她还称，“这将既保障对人工智能（AI）和国家安全至关重要的尖端半导体在国内的稳定供应，又创造数以万计的优质就业岗位。”

三星电子获得的补贴少于英特尔（78.65亿美元）、台积电（66亿美元）和美光（61.65亿美元）。但若按各企业投资金额与补贴金额的比例来看，三星电子的补贴仍处于较高水平。三星电子的补贴占投资金额比例为12.7%，高于美国企业美光的12.3%和英特尔的8.7%。19日与美国签署直接补贴发放协议的SK hynix，其补贴占投资比例为11.8%，台湾台积电为10.3%。

补贴金额被削减，被认为与三星电子部分调整投资计划有关。最初，三星电子计划到2030年在美国总计投资440亿美元，并在此基础上与美国政府签署了获得64亿美元补贴的预备交易备忘录，随后展开协商。但据悉在协商过程中，最终投资规模被下调为“370亿美元以上”。

这被视为为实现高效的全球投资执行，对部分中长期投资计划进行调整后的结果。三星电子近期已在平泽园区、器兴NRD-K等包含晶圆代工（半导体代工生产）和先进封装的研发（R&D）工厂（fab，半导体生产工厂）方面，确保了充足的产能（capacity）。

尤其是上月18日举行设备搬入仪式的器兴NRD-K，是三星电子为抢占未来半导体技术制高点而建设的最尖端综合研发园区，将开展涵盖存储器、系统半导体和晶圆代工等半导体全领域的技术研究和产品开发。该园区计划于明年年中正式投产，到2030年总投资规模将达20万亿韩元。同时，公司以2030年起在龙仁国家产业园区投运先进系统半导体生产线为目标。

晶圆代工业务不振的影响也被认为有所体现。由于订单不足等原因，三星电子的晶圆代工业务去年估计出现逾2万亿韩元亏损，预计今年也将出现数万亿韩元亏损。为此，三星电子已开始通过暂停部分晶圆代工设备运行等方式调节稼动率。对于2022年开工建设的泰勒工厂，原本目标是在今年下半年投产，但在放缓推进速度后，目前投产时间被推迟至2026年。