引入“3插头”工艺突破堆叠极限
“跃升为全栈AI内存供应商”
SK海力士21日表示，已开始量产全球最高层数的321层、1Tb（太比特）TLC（三层单元·在一个单元中记录3比特数据）4D NAND闪存。这是业界首款层数超过300层、超越此前最高层数产品238层NAND的闪存，被评价为再次突破了存储技术极限。
此次321层产品相比前一代，数据传输速度提升12%，读取性能提升13%。数据读取时的功耗效率也提高了10%以上，在提升性能的同时兼顾了能源效率。
SK海力士表示：“去年6月，我们已量产并向市场供应前一代最高层数的238层NAND产品，这次又率先推出了超过300层的NAND”，“从明年上半年起，将向客户供应321层产品，以响应市场需求。”
SK海力士在321层产品的开发过程中导入了“3-Plug”工艺技术。该技术通过三次Plug工艺，将堆叠起来的各层在电气上连接，在突破堆叠层数极限的同时提升了生产效率。
通过开发低应力材料，减少了Plug内部的形变，并利用Plug之间的自动对准校正技术提升精度。所谓Plug，是指在多层基板堆叠后，为一次性形成存储单元而打出的垂直孔。
此外，SK海力士还将前一代238层NAND的开发平台应用到321层产品上，在将工艺变更降到最低的同时，将生产率提高了59%。
SK海力士计划通过321层NAND进军人工智能（AI）数据中心和高性能存储市场，扩大产品应用范围。
负责NAND开发的SK海力士副社长 Choi Jeongdal 表示：“率先开始量产300层以上NAND，使我们在开拓面向AI数据中心的固态硬盘（SSD）、端侧AI等AI存储市场方面占据了有利位置。”
Choi副社长接着表示：“借此机会，我们不仅将在以高带宽存储器（HBM）为代表的动态随机存取存储器（DRAM）领域，在NAND领域也将完善超高性能存储器产品组合，跃升为‘全栈AI存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’。”
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