三星，举行器兴R&D园区设备进场仪式…Jun Younghyun：“要开创下一个100年的未来”

by Kim HyeongMin

Published 18 Nov.2024 13:48(KST)

今日在 Giheung NRD-K 举行研发设备入驻仪式
NRD-K 是最尖端复合型研发园区
到2030年将投资20万亿韩元
在孕育三星半导体的 Giheung 设立
连接 Giheung-华城-平泽的最大研发集群

三星电子器件解决方案（DS）部门负责人（副会长）Jeon Younghyun 18日出席在京畿道龙仁市器兴园区举行的“下一代半导体研究开发（R&D）园区 New Research & Development - K（以下简称 NRD-K）设备搬入仪式”时表示：“将通过NRD-K，从下一代半导体技术的源头研究到产品量产，确立良性循环体系，从而大幅提升开发速度。”

18日，在三星电子器兴园区举行的NRD-K设备进场仪式上，副会长 Jeon Younghyun 正在致纪念辞。照片由三星电子提供

他在当天的纪念致辞中称：“将在三星电子半导体50年历史起点的器兴夯实再腾飞的跳板，开创新的100年未来。”

NRD-K是三星电子为抢占未来半导体技术而建设中的一座占地10.9万平方米（约3.3万坪）的尖端复合型研究开发园区。到2030年，总投资规模将达到20万亿韩元。

NRD-K落户器兴本身也具有深远意义。器兴园区是1983年2月“东京宣言”之后，三星电子正式启动半导体业务的标志性地点。自1983年9月开工建设量产线起，三星的超大规模集成电路（VLSI）级半导体事业在此萌芽。1992年，这里率先在全球开发出64M DRAM，夺得DRAM市场第一；1993年，又成为奠定其在存储半导体领域30年蝉联第一基础的原动力。目前，在约44万坪规模的园区内，8英寸、12英寸晶圆代工（半导体委托生产）生产线以及LED生产线等正在运转。

三星电子计划在器兴建设承担未来技术研究核心任务的NRD-K，借此迎来创新转折点，并最大化技术实力与组织间的协同效应。NRD-K将作为连接器兴—华城—平泽的首都圈最大半导体研发集群，成为巩固技术竞争力的“半导体技术心脏”。具体而言，将把其打造为涵盖存储、系统半导体、晶圆代工等全领域的核心研究基地，配备高度化基础设施，使从源头技术研究到产品开发能够在同一地点完成。

三星电子预计，通过引进用于下一代存储半导体开发的高分辨率极紫外（EUV）光刻设备、新材料沉积设备等尖端生产装置，以及将两片晶圆连接以实现创新结构的晶圆键合基础设施，NRD-K将发挥尖端半导体技术摇篮的作用。随着NRD-K的建设，器兴也有望重塑为尖端半导体产业生态系统的核心据点。三星电子计划进一步扩大与合作企业在研发领域的合作。

器兴园区下一代半导体研发园区 NRD-K 全景。三星电子供图

当天的活动共有包括Jeon副会长在内的DS部门主要经营层、设备合作公司代表、半导体研究所员工等约100人出席。Applied Materials韩国法人社长Park Gwangseon表示：“在共生合作伙伴关系愈发重要的当下，Applied Materials将通过与三星电子的紧密合作，共同加快创新步伐，为半导体产业发展作出最大努力。”

另一方面，在全球半导体霸权之争愈演愈烈的背景下，各国正努力将生产线引入本国，并积极推动研究所落地。三星电子半导体研究所的前身是1982年成立的“半导体研究开发中心”。随后1983年在富川事业场也设立了相关机构。此后，三星电子的研发生产线历经M线、U线、RS线，2006年为持续确保下一代半导体技术的竞争优势，又在华城园区建设了NRD（New Research & Development）线。NRD线目前承担着半导体研发主基地的角色。