SK海力士举办“第6届创新专利表彰”……金奖授予HBM功臣
10项表彰发放2.075亿韩元奖金
提升HBM测试效率的Yoon Taesik TL等获殊荣
在SK海力士公司内部创新专利奖励颁奖仪式上，高带宽存储器（HBM）的核心贡献者获得了最高奖项金奖。
在SK海力士第六届创新专利表彰大会上获得金奖的员工正在拍摄获奖纪念合影。金奖由人工智能基础设施TL尹泰植（最左）、DRAM开发TL金昌贤（最右）分别获得。对外合作负责人社长金东燮担任颁奖嘉宾。SK海力士提供
View original imageSK海力士表示，公司于8日在京畿道利川总部举行了“第6届创新专利奖励”颁奖仪式。
自2018年启动的创新专利奖励活动，是一项选拔在攻克技术难题、提升经营业绩方面贡献度较高的优秀专利并予以奖励的活动。今年共评选出金奖2件、银奖3件、铜奖5件等共10件专利作为奖励对象，合计发放奖金2.075亿韩元。
SK海力士称：“创新专利奖励活动有助于提升成员的专利意识和研究积极性，进而创造出优秀专利，并形成带动公司业绩增长的良性循环结构。”
金奖由提交提高HBM测试效率相关专利的Yoon Taesik人工智能（AI）基础设施团队领导（TL），以及开发与提升HBM和DRAM纠错功能效率相关专利的Kim Changhyun DRAM开发团队领导（TL）获得。
Yoon团队领导表示：“很高兴自身为包括HBM在内的公司核心产品测试能力提升所作的贡献得到认可。”Kim团队领导则表示：“内存工作错误纠正技术对于提升内存可靠性极为重要，我们将持续推进研究开发（R&D），以不断提升技术水平。”
银奖授予了Oh Sangmuk·Yoon Taesik团队领导（AI基础设施）、Kang Byungin·Park Nakgyu·Lee Hankyu团队领导（P&T）、Lee Gihong负责人·Baek Jiyeon团队领导（未来技术研究院）。
铜奖则由Hyun Jinhoon·Lee Changhyun团队领导（DRAM开发）、Joo Noguen团队领导（DRAM开发）、Choi Eunji·An Geunseon团队领导（NAND闪存开发）、Na Hyungju团队领导（解决方案开发）、Yang Dongju·Sa Seunghoon团队领导（CIS开发）获得。
因外部行程未能出席活动的SK海力士代表理事社长Kwak Nohjung通过书面形式强调称：“我们将为公司和半导体产业发展持续推进技术开发和发明，不断巩固作为全球第一AI存储企业的地位。”
对外合作社长Kim Dongseob表示：“通过创新专利奖励制度，累计已有60件优秀专利获选，公司内部人才的贡献得到了认可。今后将持续运营这一制度，进一步强化对成员技术创新的激励。”
企业中心社长Song Hyunjong表示：“积累的人才库和知识资产是提升技术企业价值的核心指标，将持续鼓励成员开展技术开发，不断提升公司的技术领导力。”
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