量产预期在明年一季度
2号工厂计划于2028年投产,3号工厂计划于2030年投产

台湾媒体包括《联合报》4日报道称,全球最大晶圆代工(半导体委托生产)企业台湾台积电(TSMC)将于下月在美国亚利桑那州工厂正式开始采用4纳米(1纳米=10亿分之1米)工艺技术生产晶圆。


据消息人士透露,台积电计划在下月初于位于亚利桑那州凤凰城的21厂(fab,半导体生产工厂)一期厂房举行完工仪式后,正式量产采用4纳米技术的12英寸(305毫米)晶圆。量产时间点预计在明年第一季度。消息人士补充称,亚利桑那台积电工厂被设计为集大型半导体工厂与研发设施等于一体的“超级晶圆厂(Mega fab)”,其厂房内安装的洁净室规模是同业平均水平的两倍。


图片由AP联合通讯社提供

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此前,亚利桑那台积电一期厂已于今年4月启动采用4纳米工艺技术的试生产。此后确认试生产芯片的良率比台积电在台湾本地同等级设施高出约4个百分点,因此原定于明年上半年投产的计划被大幅提前至今年9月。外界获悉,台积电在美国建设的3座工厂,仅从美国商务部获得的补贴就高达66亿美元(约合9万亿韩元)。


消息人士表示,一期厂计划每月生产约4万片晶圆,二期厂原本打算导入3纳米工艺,但因4纳米订单暴增而被推迟。二期厂计划在2028年前后量产约5万片晶圆。三期厂则计划在2030年前后生产2纳米或A16(1.6纳米工艺)产品。纳米是表示半导体电路线宽的单位,线宽越窄,功耗越低,处理速度越快。目前全球最先进的量产工艺是3纳米。


台湾媒体指出,在美中科技战持续加剧的背景下,台积电美国亚利桑那工厂将成为衡量美国本土半导体制造能力的风向标,并报道称台积电正推进在凤凰城在一至三期厂之外,进一步扩建至四至六期厂的方案。



早在2022年12月,亚利桑那工厂就曾举行过台积电竞合设备进场仪式。当时的活动上,包括美国总统Biden、商务部长Gina Raimondo、当地州长及国会议员等政界人士,以及Apple首席执行官(CEO)Tim Cook、Micron首席执行官Sanjay Mehrotra、NVIDIA首席执行官Jensen Huang、AMD首席执行官Lisa Su、台积电创办人Zhang Zhongmou、台积电董事长Liu Deyin、台积电首席执行官Wei Zhejia等商界巨头悉数到场,引人注目。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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