写过检讨书的三星电子，存储业务防守得当…剔除一次性费用营业利润达7万亿韩元

by Choi Seoyoon

Published 31 Oct.2024 11:50(KST)

三季度半导体营业利润低于4万亿韩元
整体营收创历史新高
明年下半年将开发并量产HBM4

曾因业绩不振而“写检讨书”的三星电子半导体（DS·设备解决方案）部门，今年第三季度仅录得不到4万亿韩元的营业利润。代工业务持续低迷、一次性费用增加影响较大，但内存业务表现好于预期，在一定程度上弥补了冲击。不过，与竞争对手相比，其营业利润率有所下滑。包括半导体在内的三星电子整体销售额则创下历史新高。研究开发（R&D）费用同样投入史上最大规模，充分体现了其抢占未来技术制高点的强烈意志。

三星电子31日公布的第三季度最终业绩显示，公司实现销售额79.1万亿韩元，营业利润9.18万亿韩元。销售额超过此前最高纪录——2022年第一季度的77.78万亿韩元，刷新了单季度历史新高。但业内评价认为，略低于市场预期。

营业利润受半导体业务低迷及一次性费用增加的影响较大。公司方面表示：“与上季度相比，库存评估损失转回规模减少，激励金计提等一次性费用增加，同时也受到美元走弱带来的汇率影响。”

DS部门销售额为29.27万亿韩元，营业利润为3.86万亿韩元。与上年同期相比，营业利润增长7.6%，但较上一季度则下降2.59%。由此营业利润率为13.2%，低于SK海力士等竞争对手。

不过，在DS部门业绩中占比较高的内存业务表现稳健。内存业务销售额为22.07万亿韩元，同比大增112%。扣除一次性费用等因素后，实际营业利润被推算接近7万亿韩元。三星电子表示：“积极响应人工智能（AI）及服务器用需求，扩大了高带宽内存（HBM）、双倍数据速率（DDR）5、服务器用固态硬盘（SSD）等高附加值产品的销售。”据市场信息机构TrendForce数据，第三季度服务器用DRAM价格较上一季度上涨13%至18%。

三星电子公布第三季度合并基准初步业绩，销售额达67万亿韩元，营业利润达2.4万亿韩元，业绩超过预期，营业利润突破2万亿韩元。照片为11日拍摄的首尔三星电子瑞草办公大楼。照片=记者姜珍亨提供

第三季度包括绩效奖金在内的一次性费用估算在1万亿韩元左右。若从DS部门营业利润中扣除一次性费用，则实际利润接近5万亿韩元，比证券业界此前4.1万亿韩元的预估值高出约20%。再考虑到系统LSI事业部及代工（半导体代工生产）事业部亏损规模估计在1.5万亿韩元左右，可推算出内存事业部营业利润在7万亿韩元水平。

业界分析认为，三星电子积极响应面向AI和服务器的高收益产品需求，效果显著。尽管第五代HBM——HBM3E尚未通过英伟达的质量认证（Qual Test），但凭借与AMD、谷歌、亚马逊云服务（AWS）等客户的多元化合作，整体表现相对稳健。根据TrendForce数据，全球HBM需求中，英伟达占58%，谷歌18%，AMD 8%，AWS 5%。三星电子表示：“与上季度相比，大幅提升了HBM及面向服务器的DDR5销售。”

与台湾积体电路制造公司（TSMC）竞争的代工业务仍未摆脱亏损。在移动和个人电脑需求复苏不及预期的情况下，一次性费用的影响导致其业绩较上一季度下滑。公司在5纳米（1纳米=10亿分之1米）及以下先进制程节点上完成了接单目标，并已向客户分发2纳米环绕栅极（GAA）工艺的工艺设计套件（PDK），推进产品设计工作。系统LSI方面，通过销售最大化和库存最小化实现了销售额增长，但由于一次性费用增加，业绩出现下滑。

第三季度拉动整体业绩的是负责智能手机的移动（MX）部门。Galaxy AI手机的上市，为公司整体销售额和营业利润增长作出贡献。受智能手机新机型上市影响，该部门销售额环比增长13%，达到29.98万亿韩元。在负责电视和生活家电的VD·DA业务合并构成的设备体验（DX）事业部门中，整体销售额为44.99万亿韩元，其中约三分之二由智能手机业务贡献。三星电子表示：“为提升产品竞争力，提高了规格配置，导致材料成本增加，但通过以旗舰产品为中心的销售，拉动了营收，确保了接近两位数（10%以上）的利润率。”

业内内外有舆论认为，三星电子“或已度过最艰难关口”。考虑到近期市场不断下调其营业利润预期，并认为其在HBM等核心业务上落后于竞争对手，此次业绩发布或将成为扭转市场氛围的转折点。韩国投资证券研究员Chae Minsuk表示：“第二季度由于库存评估损失转回而录得惊喜业绩，但第三季度又因激励金计提出现业绩‘惊吓’，一次性费用导致季度业绩波动较大。从第四季度起，一次性因素对业绩的影响将有所减弱，因此可以认为已经跨过了难关。”

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将创纪录的8.87万亿韩元用于研究开发（R&D），并将设施投资增加至12.4万亿韩元，较上一季度增加3000亿韩元，这一点也被视为利好。三星电子表示：“明年将进一步扩大HBM3E的销售，并计划在下半年推进HBM4的开发和量产”，“将正式加快向第八代V-NAND的工艺转换，并积极响应基于QLC的高容量需求。”

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。