SK海力士全球首发10纳米级第6代DRAM，今年底启动量产
功耗降9% 生产力升30%
DDR·HBM·CXL等D-RAM市场主导权在望
凭借生产优势接单战占据有利位置
追赶三星与Micron…明年将展开全面竞争
SK海力士成功开发出全球首款采用10纳米（nm，1纳米=10亿分之一米）工艺的第6代（1c）DRAM半导体。DRAM前沿工艺将从个人电脑服务器用中央处理器（CPU）双倍数据速率（DDR）开始，应用到搭载于人工智能（AI）半导体中的高带宽存储器（HBM）、计算快速互连（CXL）等所有DRAM解决方案。尤其是在降低功耗方面具有优势，预计将被应用于AI数据中心等领域。
SK海力士29日表示，已成功开发出采用第6代1c技术的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM。SK海力士称：“将于年内完成量产准备，并从明年开始供应产品，引领存储半导体市场的增长。”半导体业界从10纳米级DRAM开始，按世代依次附加字母标识进行称呼。继1x（第1代）、1y（第2代）、1z（第3代）、1a（第4代）、1b（第5代）之后，1c为第6代技术。
SK海力士在2021年完成第4代10纳米1a的开发后，从去年第2季度起量产采用1b技术的产品。公司方面表示，此次第6代DRAM是在扩展第5代1b DRAM平台的方式上开发完成的。
第6代DRAM通过极紫外光（EUV）工艺优化，确保了成本竞争力，将生产效率较第5代提升了30%以上。其运行速度为8Gbps（每秒8千兆位），比第5代1b快了11%。能效则提升了9%以上。SK海力士解释称：“如果在云服务客户的数据中心导入SK海力士第6代1c DRAM，电力成本最多可比以前降低30%。”
SK海力士计划在年底前完成第6代1c 10纳米产品的量产准备。根据与客户就订单细节的协商情况，最快可从明年第1季度开始供货。
由于SK海力士率先在全球推出第6代DRAM，预计将在今后的订单争夺战中占据有利位置。代表性应用包括用于英特尔CPU的DDR5、用于英伟达图形处理器（GPU）的HBM等。据悉，三星电子的目标是在今年第3季度完成开发，并于明年6月开始量产。
SK海力士对在第6代1c产品生产力方面领先三星和美光充满信心。SK海力士表示，通过提升第5代1b技术设计的完成度，成功实现了第6代技术的突破。由于是在扩展1b DRAM平台的方式上完成1c开发，因此可以减少在技术高度化过程中可能出现的试错。
业界预计，SK海力士第6代DRAM的竞争力将非常突出。已有观点认为，其在每片晶圆（圆片）可切割出的芯片数量、工艺效率、良率（合格品比例）等方面将占据优势。
一位业界相关人士表示：“即便第6代1c DRAM工艺开发由SK海力士率先完成，距离真正量产仍需要一定时间”，“首先将优先搭载在计算机服务器用DDR5上，随后根据客户的具体需求，依次应用于HBM、CXL等产品。”这位人士接着补充说：“率先开发出第6代DRAM技术的企业，很可能在覆盖DDR、HBM、CXL等DRAM市场主要产品方面，掌握整体主导权。”
Park Jonghwan SK海力士DRAM开发担当副社长表示：“我们将在第6代HBM、LPDDR6、G（图形）DDR7等最尖端DRAM主力产品阵容中应用同时满足最佳性能和成本竞争力的1c技术，为客户提供差异化价值”，“在巩固DRAM市场领导地位的同时，进一步强化作为最受客户信赖的AI存储解决方案企业的地位。”
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