下月6日至8日将在美国圣克拉拉举行
NAND闪存行业重要盛会
AI存储产品与技术或将亮相
三星电子和SK海力士将参加被视为NAND闪存行业主要盛会的“闪存峰会（Flash Memory Summit, FMS）2024”。
据业界24日消息，三星电子和SK海力士计划于下月6日至8日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2024上发表主题演讲，并同步展示最新产品。
在主题演讲环节，三星电子方面将由美洲区总负责人副社长Jim Elliott、解决方案产品工程团队副社长Oh Hwasuk、存储器事业部DRAM解决方案团队常务Song Taeksang以“人工智能革命：对存储器及存储装置的新需求激增”为主题登台演讲。SK海力士方面则由负责高带宽存储器（HBM）和固态硬盘（SSD）开发的副社长Kwon Eoneo和副社长Kim Cheonseong出席。
FMS今年迎来第18届，是每年由闪存半导体企业、初创公司及业内人士参加、共享新技术与新产品以及市场趋势的平台。今年的活动上，日本铠侠、美国西部数据、镁光等全球存储器厂商也将大举参展。
本届大会以“存储器与存储装置的未来（The Future of Memory and Storage）”为主题举行，将集中展示面向汽车、数据中心及人工智能（AI）领域的大容量、高性能DRAM和NAND等产品。尤其由于FMS本身是以NAND为中心的活动，预计还将发布与此相关的NAND新品及新技术。
此前，三星电子在去年的该活动上首次公开了PCIe 5.0数据中心用固态硬盘（SSD）“PM9D3a”。SK海力士则展示了业界首款300层以上的NAND产品——“321层1Tb（三值单元TLC）4D NAND”样品，备受关注。
随着AI的高速发展，不仅NAND，DRAM的重要性也同步提升，因此各家公司将在本次大会上重点介绍包括最新高带宽存储器（HBM）在内的DRAM产品以及计算快速互联（Compute Express Link, CXL）技术。三星电子将展示基于CXL技术的存储器产品CMM-D（CXL内存模块-DRAM）、CMM-B（机箱）、CMM-H（混合型），以及HBM3E、DDR5等。CXL是一项可通过扩展带宽、轻松提升处理容量的技术。SK海力士则计划与321层NAND产品一同展出HBM3E、CXL等多样化产品组合。
此外，三星电子和SK海力士还将通过主题演讲分享对AI存储器市场的洞察，并介绍覆盖各类AI应用的尖端存储解决方案。
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