SK海力士未来5年投资103万亿韩元…为应对AI扩大全球设施布局
全力扩大HBM等AI存储供应
加大对清州M15X与龙仁集群投资
在美国印第安纳州获取封装设施
在SK集团将人工智能（AI）和半导体选为未来增长领域之际，SK海力士决定在今后5年内总计投资103万亿韩元。公司计划将投资集中在高带宽存储器（HBM）等AI相关业务领域，以全面应对激增的需求。为此，公司不仅将投资于将在清州和龙仁新建的国内生产设施，还已预告将在美国印第安纳州新建先进封装设施。
根据30日SK集团的消息，SK海力士将截至2028年总计投资103万亿韩元，以强化半导体业务竞争力。这是SK海力士首次对外公开未来5年的整体投资计划。公司计划向HBM等AI相关业务领域投入约82万亿韩元，占总投资额的约80%。随着AI需求急剧增加，公司意在通过积极应对将盈利机会最大化。
SK海力士预计将通过在国内外进行设施投资以及各类研究开发（R&D）投入，扩大HBM产能（CAPA），并提升产品技术实力。尤其是在HBM需求已超过供应的情况下，公司将着力扩大产能。此前，SK海力士社长 Kwak Nojeong 上月在记者座谈会上曾表示：“HBM今年已经全部售罄（Sold-out·完售），明年也几乎全部售罄”。
为此，公司将投入约5.3万亿韩元，在忠北清州新建名为“M15X”的新晶圆厂。M15X已于今年4月开工建设，计划于明年11月完工，并从2026年第三季度开始量产。该工厂将配备包括极紫外光（EUV）工艺在内的HBM一体化生产工艺。SK海力士方面表示：“设备投资也将依次推进，从长期来看总投资将超过20万亿韩元”。
将在总面积415万平方米用地上建成的龙仁半导体集群，同样将成为应对AI用存储器需求的主要基地之一。SK海力士计划在此新建4座晶圆厂，其中第一座晶圆厂已于今年3月开工，计划于2027年5月竣工。SK海力士此前已表示，为打造该集群，将在2046年前投资约120万亿韩元。
在美国印第安纳州韦斯特拉法叶，公司将建设先进封装设施。此前，SK海力士已于今年4月表示，将在该地区建设AI存储器用先进封装生产基地，并为扩大与当地研究机构的研发（R&D）合作，总计投资38.7亿美元（约5.3483万亿韩元）。公司还提出计划，从2028年下半年起在该工厂量产包括下一代HBM在内的AI存储器产品。
HBM作为AI用存储器，与图形处理器（GPU）一起被搭载在AI加速器上。SK海力士向英伟达供应HBM3和HBM3E等多代HBM产品，当前在HBM市场中占据市占率第一位。近期，由于英伟达AI加速器需求激增到出现供不应求的程度，SK海力士也同步提升HBM相关业绩，迅速扩大公司规模。
SK海力士在去年第四季度实现扭亏为盈后，今年第一季度录得2.886万亿韩元营业利润，业绩持续增长。第二季度预计将实现约5万亿韩元营业利润。金融信息公司FnGuide汇总最近1个月证券公司预测后给出的该公司第二季度预期营业利润为5.1995万亿韩元。预计销售额为16.2739万亿韩元，同比增加122.75%。
另一方面，社长 Kwak Nojeong 为扩大与AI及半导体价值链相关子公司之间的协同效应，将自7月1日起担任SK Supex Pursuit Council 半导体委员会委员长。
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