“三星发布‘2纳米新工艺与一体化AI解决方案’代工战略”

by Han Yeju

Published 13 Jun.2024 11:10(KST)

三星在美国举办“Samsung Foundry Forum 2024”
引入2纳米“背面供电”技术…加速工艺升级
加快推进“AI半导体一站式服务”

三星电子决定在即将到来的2027年前，将被称为“超微细工艺游戏规则改变者”的“背面供电（BSPDN）”技术导入2纳米（nm，纳米，1nm=10亿分之1米）工艺。“背面供电”是将电力线布置在晶圆背面，以改善电力与信号线路瓶颈现象的高难度技术，可以突破性地实现超微细工艺。有分析称，这是其在晶圆代工（半导体代工生产）市场上放出的“王牌”，意在追赶竞争对手台湾台积电（TSMC）。同时，三星还表明，将通过晶圆代工、存储器和先进封装解决方案之间的协作，强化“交钥匙服务”。

三星电子于当地时间12日，在美国加利福尼亚州圣何塞半导体（DS）部门美洲总括（DSA）大楼举办“Samsung Foundry Forum 2024”，并发布了以此为核心内容的人工智能（AI）时代晶圆代工战略。

三星电子当天在既有晶圆代工工艺路线图的基础上，追加公开了2纳米（SF2Z）和4纳米（SF4U）。尤其是其表示，计划在2027年导入应用背面供电技术的2纳米工艺。应用这一技术后，与现有2纳米工艺相比，效率将提高，并可大幅减少导致电流流动不稳定的“电压降”现象。这将进一步提升高性能计算芯片的设计性能。

另一项新工艺4纳米（SF4U），则是在与现有4纳米工艺相比的前提下，通过“光学缩小”在减小芯片尺寸的同时提升性能。三星电子计划自明年起量产。

三星电子还表示，将充分利用其作为唯一一家同时拥有晶圆代工、存储器和先进封装业务企业的优势。公司计划通过业务间协作，加快“AI半导体交钥匙服务”的推进速度。三星称，利用其集成AI解决方案的无晶圆厂客户，相比分别使用晶圆代工、存储器和封装企业，从芯片开发到生产所需时间可缩短约20%。三星电子还计划在2027年将光学器件也整合进AI解决方案。

三星电子晶圆代工事业部社长Choi Siyoung表示：“在以AI为中心、所有技术都在发生革命性变化的关键时点，最重要的是实现AI所必需的高性能、低功耗半导体。三星电子将通过为AI半导体优化的环绕栅极（GAA）工艺技术，以及在低功耗下也能实现高速数据处理的光学器件技术，提供一站式AI解决方案。”