[Peace & Chips]三星电子真心投入下一代“MRAM”开发

本周三星电子介绍了“内置式MRAM（eMRAM）”业务。三星电子代工事业部副社长 Jung Gitae 出席某半导体活动时表示，正在致力于eMRAM技术开发，并称“已经完成14纳米（nm，纳米·1nm=10亿分之1米）工艺开发，8纳米工艺也几乎完成”，还预告说“将把技术开发推进到5纳米”。

MRAM这个名字很多人可能比较陌生，但顾名思义，与名称相似的DRAM一样，属于存储半导体的一种。据称它具备快速读写速度，同时功耗也较低。此外，与断电后信息会消失、属于易失性存储器的DRAM不同，MRAM在断电后信息不会消失，因而像NAND闪存一样被归类为非易失性存储器。由于它结合了作为存储器两大支柱的DRAM和NAND的优点，业界将其视为下一代存储器之一。

三星电子平泽园区全景 / 三星电子提供

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MRAM是“Magnetic Random Access Memory（磁阻式随机存取存储器）”的缩写，正如其名，是以磁性（magnetic）变化为基础。如果说DRAM在存储信息的单元（cell）中设置电容器（起到暂时存储电能的作用），那么MRAM则以单元结构——磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）为基础。它通过磁性材料MTJ的电阻变化来存储信息。最近，升级MRAM技术的自旋转移扭矩（Spin Transfer Torque，STT）-MRAM的开发也在如火如荼地进行。

三星电子方面正在开发以STT-MRAM为基础的eMRAM工艺技术，借此提升代工（半导体委托生产）竞争力。由于在微控制器（MCU）和系统级芯片（SoC）等系统半导体内部，用于存储和处理数据的内置式存储器需求不断增大，相关技术开发被视为必不可少。公司尤其认为，在车载电子领域eMRAM的用途将会增加，因此正在加快技术开发步伐。

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实际上，三星电子去年10月在德国举办的代工活动上公布了车载电子领域代工业务路线图，其中提出，将在今年完成14纳米eMRAM技术开发，并于2026年和2027年分别推出8纳米和5纳米技术。与目前情况对照，可以看出14纳米进展符合原定目标，而8纳米的技术开发则比预期时间更快。就8纳米而言，与14纳米相比，集成度将提升30%，速度将提高33%。

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