三维封装集成电路技术专家
引入第三代 HBM 创新技术“MR-MUF”
半导体三维封装集成电路技术专家、SK海力士封装（PKG）开发负责人副社长 Lee Kangwook，成为首位获得电气电子工程师协会（IEEE）下属电子封装学会（EPS）颁发的“电子制造技术奖”的韩国人。
31日，SK海力士表示，Lee副社长于30日（当地时间）在美国科罗拉多州丹佛举行的“IEEE EPS Awards 2024”上获得电子制造技术奖。
IEEE EPS Awards是由国际电气电子工程领域最具权威的机构IEEE下属的EPS主办的年度活动。电子制造技术奖授予在电子及半导体封装领域取得卓越成就的人士。自1996年首位获奖者诞生以来，这是韩国人首次获得该奖项。
EPS称：“Lee副社长在全球学界和业界从事三维封装和集成电路领域研发活动已逾20年，为推动人工智能（AI）存储器——高带宽存储器（HBM）的开发与制造技术发展作出了巨大贡献。”
Lee副社长于2000年在日本东北大学以“面向集成化微系统实现的三维集成技术”领域获得博士学位。此后历任美国伦斯勒理工学院博士后研究员、日本东北大学教授，自2018年起在SK海力士担任晶圆级封装（WLP）开发负责人，一直主导开发HBM产品所需的封装技术。
尤其是2019年在开发第三代HBM产品HBM2E时，Lee副社长成功导入了作为封装创新技术的MR-MUF技术，发挥了关键作用，帮助SK海力士抢占HBM市场优势地位，并跃升为全球AI存储器领导者。
MR-MUF技术是在堆叠半导体芯片后，为保护芯片与芯片之间的电路，将液态保护材料注入其间空隙并固化的一种工艺技术。与每堆叠一层芯片就铺一层膜状材料的方式相比，该技术更为高效，并且在散热方面也更具优势。
Lee副社长表示：“通过此次获奖，似乎是对SK海力士在HBM领域所取得卓越成果的正式认可，我感到非常高兴。随着AI时代全面到来，封装的作用愈发重要，今后也将为技术创新继续全力以赴。”
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