SK海力士新任高管：“要保持AI存储器竞争力，必须开展全球合作”

SK海力士新任高管一致表示，为在高带宽存储器（HBM）等人工智能（AI）存储器市场保持技术优势，加强客户关系和全球协作至关重要。

SK海力士30日表示，公司为就AI存储器竞争力和未来市场趋势等议题进行讨论，邀请新任高管举行了座谈会。

座谈会出席者包括：副社长 Kwon Eonoh（HBM PI）、副社长 Gil Deoksin（材料开发）、副社长 Kim Kitae（HBM销售与营销）、副社长 Son Hoyoung（先进封装开发）、副社长 Oh Haesoon（NAND先进PI）、副社长 Lee Donghoon（321层NAND布图与布线），以及副社长 Lee Jaeyeon（全球RTC）。座谈会由副社长 Won Jungho（全球公关）主持。

座谈会上出席的SK海力士高管。自左起为：副社长 Kwon Eoneo（HBM PI），副社长 Kim Gitae（HBM S&M），副社长 Lee Donghun（321层NAND PnR），副社长 Oh Haesoon（NAND Advanced PI），副社长 Gil Deoksin（材料开发），副社长 Son Hoyoung（先进封装开发），副社长 Lee Jaeyeon（全球RTC）。SK海力士新闻室供图

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随着支撑AI训练与推理的高性能半导体需求持续增长，今年DRAM市场规模预计将同比增长近65%，达到117万亿韩元。业内预期，AI应用领域扩大的同时，对高性能、大容量存储器的需求将持续增加。

副社长 Kim Kitae 就前瞻应对未来产业与技术变革表示：“即便AI服务实现多元化，只要目前这种冯·诺依曼架构（逻辑半导体与存储器分离的形态）的计算结构持续存在，对存储器的首要要求规格就仍然是速度和容量。”他强调：“若SK海力士要在包括HBM在内的AI存储器领域保持技术领先，不仅要在前工序的设计、器件、产品方面具备竞争力，还必须持续强化公司目前已拥有独到优势的后工序高层数堆叠封装技术能力。”

他补充说：“从当前市场情况来看，大型科技企业为抢占AI市场主导权，正不断提前新产品发布时点。与此相应，我们正在提前讨论包括明年在内的计划，以确保能够按时供应下一代HBM产品等。”

副社长 Kwon Eonoh 也表示：“下一代产品HBM4将成为在存储器中引入逻辑半导体工艺的首款产品。引入新工艺不仅意味着要实现超出客户期望水平的规格，还将通过与相关行业的协作，创造新的机遇。”

围绕通过材料开发强化品质、提升AI用高性能NAND技术实力以及下一代存储器研发等议题，与会高管也强调了其重要性。

副社长 Gil Deoksin 表示：“必须密切关注新兴的AI与半导体市场，营造能够灵活应对急剧变化局面的开发环境。通过半导体材料创新，实现工艺简化、缺陷率控制以及提升UPH（生产线每小时产出数量），同时在近期重要性不断提升的封装领域，通过提高良率和散热性能，开发能强化产品性能与品质的材料，这一点至关重要。”

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副社长 Lee Donghoon 表示：“在有限空间内，以尽可能小的功耗存储指数级增长的数据的能力，正变得愈发重要。为此，高容量、低功耗的企业级固态硬盘（eSSD）是必不可少的，而在其中采用的NAND实现300层以上超高层存储单元时，必须确保所需的性能、品质和可靠性。”

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