“目前派遣100人，今后扩充至200人”
学习EUV使用方法并查明量产阶段问题
日本政府为恢复半导体竞争力而设立的晶圆代工（半导体委托生产）企业Rapidus的100名员工，已在美国IBM研究所开展尖端半导体技术开发工作。该公司以2027年在日本本土实现2纳米（nm，1纳米为十亿分之一米）半导体量产为目标，正积极利用美国的技术实力。
28日，《日本经济新闻》报道称，在位于美国纽约州奥尔巴尼的IBM研究所内，约100名Rapidus员工正专注于2纳米半导体技术开发。
奥尔巴尼IBM研究所距离纽约市车程约3小时，仅用地面积就相当于东京巨蛋的3倍。以12英寸（300毫米）晶圆厂为基准，这是美国规模最大的设施。《日本经济新闻》介绍称，该研究所是全球首个成功完成2纳米半导体设计与开发的机构，虽然名义上是研发基地，但内部按半导体工厂形态构建。
Rapidus技术人员在IBM研究所承担的核心任务，是开发2纳米半导体量产技术。Rapidus已设定目标，要在2027年前具备在日本北海道在建工厂中量产2纳米半导体的技术能力。
为此，Rapidus技术人员正在向IBM技术人员学习极紫外光（EUV）光刻设备的使用方法，这类设备是尖端半导体生产中必不可少的装备。由于EUV设备本身比传统光刻设备在操作上更为复杂，Rapidus技术人员判断，必须先掌握这类设备的使用。
鉴于日本不仅要开发尖端半导体生产技术，还以量产为目标，IBM研究所也在重点梳理量产化过程中可能出现的问题。从半导体生产时异物混入的问题，到生产工艺或设计环节导致良率下降的各种潜在原因，研究所均在位于奥尔巴尼的实验生产线内进行模拟，一旦出现问题便寻找解决方案加以应对。
为学习IBM研究所的技术实力，Rapidus已在去年4月首次派出7名技术人员。Rapidus计划今后将派遣人数扩大到200人。《日本经济新闻》称，其中一半技术人员负责生产工艺，其余则为负责性能测量分析的器件工程师和负责电路设计的设计工程师。据悉，他们目前研究的课题已超过300个。
三星电子和台积电（TSMC）都以在明年实现2纳米半导体量产为目标。隶属IBM Research的半导体负责人Mukesh Khare表示：“竞争如此激烈，因此着眼于（Rapidus开始量产的）2027年之后的产品开发尤为重要。”
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