韩国产业技术企划评价院（KEIT）28日表示，通过材料部件技术开发项目开发的“高效率、高可靠性特性的氧化镓电力半导体器件技术开发”成果，已于本月26日至31日在德国柏林举行的国际氧化镓研讨会（IWGO）上发布。
氧化镓（Ga2O3）由于导带（Conduction band）与价带（Valence band）之间带隙较大，能够在更高的温度、电压、频率等条件下工作，是一种下一代器件。继碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）之后，正逐步确立为第三代电力半导体。IWGO是全球最高水平的氧化镓学术研讨会，来自世界各地的半导体专家在此汇聚，分享最新技术与研究成果。
作为主管研发机构的韩国半导体研究组合参加了本次活动，展示了国内氧化镓电力半导体材料——氧化镓粉体、衬底（晶圆）以及电力器件模块等完整产品的研发生态。半导体研究组合展出并演示了氧化镓原料粉末材料以及达到商品化水平的氧化镓二极管（SBD，肖特基势垒二极管）等。KEIT表示：“高品质单晶生长技术是指通过熔融法生长的单晶锭加工制成衬底的技术，与现有宽禁带材料相比，该技术有望实现高品质、大口径和低成本，因此作为下一代材料将备受关注。”
另一方面，产业通商资源部和KEIT自2021年4月起至2024年12月，一直在支持“高效率、高可靠性特性的氧化镓电力半导体器件技术开发”课题。本课题由Powercube Semi和韩国陶瓷技术院共同参与。
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