第59届发明日纪念仪式
“开发DRAM”副社长 Kim Jonghwan、组长 Kim Ungrae
获铁塔产业勋章与国务总理表彰
SK海力士22日表示，在21日于首尔中区大韩商工会议所举行的“第59届发明日纪念仪式”上，负责DRAM开发的副社长 Kim Jonghwan 获得铁塔产业勋章，负责DRAM核心设计的组长 Kim Woongrae 获得国务总理表彰。
在第59届发明日纪念仪式表彰中，获得铁塔产业勋章的SK海力士DRAM开发负责人副社长Kim Jonghwan（左），以及获得国务总理表彰的DRAM核心设计组组长Kim Woongrae（右）。照片由SK海力士新闻室截图提供
View original image引领SK海力士DRAM技术开发的副社长 Kim Jonghwan 因在人工智能（AI）存储器开发方面的贡献而获颁铁塔产业勋章。Kim副社长自2021年起全面负责公司DRAM开发，并于2022年6月成功实现作为AI存储器的高带宽存储器（HBM）第4代产品HBM3量产。去年8月又成功开发出第5代产品HBM3E。他还开发了在存储器中加入运算功能的下一代智能存储器PIM（Processing-In-Memory），并参与开发了将存储器与其他装置之间的接口统一整合、从而同时提升产品性能和效率的CXL（Compute eXpress Link）存储器。Kim副社长表示：“正如SK海力士通过HBM3和HBM3E的开发抢占全球AI存储器市场先机、提升大韩民国地位一样，我们也将加快下一代AI存储器的开发步伐，努力持续巩固我们的领导地位。”
获得国务总理表彰的组长 Kim Woongrae 因开发出应用于DRAM 10纳米级微细工艺的电路相关设计技术，从而实现产品性能提升和成本削减，其功绩获得认可。他还开发了用于移动设备的低功耗DRAM——LPDDR4和LPDDR5的超高速、低功耗运行技术，并申请了核心专利，为国家知识产权（IP）获取作出贡献，这一点也备受好评。Kim组长表示：“这是在公司毫不吝惜的投资以及成员们以‘One Team’精神齐心协力下取得的成果”，“今后也将尽最大努力，使公司在DRAM领域持续保持领先技术实力。”
每年在发明日（5月19日）前后，专利厅都会对引领国家产业发展的有功人员实施政府褒奖。根据功绩不同，奖项分为产业勋章、产业褒章、总统表彰、国务总理表彰等。
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