“积极布局大容量存储市场”
“强化以AI服务器产品为中心的产品组合”
三星电子表示，将在下半年快速开发基于QLC（四层单元）的NAND闪存产品，积极应对人工智能（AI）用大容量存储市场。
在21日三星电子公开的新闻室关于第9代V-NAND企划·开发负责人采访中，商品企划室常务Hyun Hyeon-ung表示：“外界对用于AI的大容量存储服务器的关注度正在提升。”
在AI时代，除了支持超高速并行运算的高带宽存储器（HBM）之外，还需要多种内存解决方案。尤其是为了进行语言模型数据训练，需要能够容纳海量数据的空间；在推理阶段，为了让算法快速运行，高性能存储更是必不可少。
Hyun常务解释称：“AI用数据中心的电力成本存在限制，因此单台存储服务器需要搭载大容量内存”，“随着保持检查点（在模型训练过程中保存当前状态的特定节点）的重要性提升，以及多模态AI模型的扩散，对高性能存储的需求也在增长。”
他还预计：“今后不仅是生成式AI，还将需要更多存储空间来处理能够自我学习的机器所产生的数据”，“因此从中长期来看，NAND闪存市场将呈现稳健走势。”
Hyun常务表示，由于AI用数据中心的电力成本受限，单台存储服务器需要搭载大容量内存。他称，随着保持检查点的重要性提高以及多模态AI模型扩散，高性能存储的需求正在增加。
他表示：“三星电子正以AI服务器用产品为中心强化产品组合构成，从中长期来看，还在扩大面向端侧AI、车载产品、边缘设备等下一代应用产品的组合。”
三星电子上月在业内率先开始量产1Tb（太比特）TLC（三层单元）第9代V-NAND。第9代V-NAND实现了业内最小尺寸单元和最小模层（驱动单元的层）厚度，其比特密度较前一代提升约1.5倍。
闪存开发室副社长Hong Seungwan表示：“NAND正朝着满足大容量、高性能需求的方向发展”，“为此，三星电子将通过减少单个堆叠所需高纵横比深孔（HARC）刻蚀工艺次数的技术、用于制造高性能器件的高金属栅极工艺技术，以及各种组合的多重键合技术等，持续推进创新。”
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