SK海力士：最快有望在2026年完成HBM4E开发

by Cha Minyoung

Published 13 May.2024 21:10(KST)

Kim Gwiuk HBM先行技术组长在IMW 2024上表示： “从第5代产品起将把周期缩短为1年”

SK海力士利川园区内的M16全景

有观点认为，SK海力士最快可能在2026年完成第7代高带宽存储器（HBM）——HBM4E的开发。

SK海力士HBM先行技术组组长 Kim Gwioog 13日在首尔广津区华克山庄酒店举行的国际存储器研讨会（IMW 2024）上表示：“HBM从第4代（HBM3）产品之前一直以2年为单位发展，但从第5代（HBM3E）产品之后，开发周期正在缩短为1年一代。”

目前SK海力士尚未正式公布HBM4E的路线图，但考虑到开发周期缩短为1年的市场情况，有解读认为，公司有望在2026年完成开发。

SK海力士在几乎独家向人工智能（AI）半导体市场“超级买家”英伟达供应HBM3之后，又在今年3月率先于存储器厂商中开始交付HBM3E 8层堆叠产品。

随后，公司计划在本月内提供HBM3E 12层堆叠产品样品，并正为在今年第三季度实现量产做准备。此外，原定于2026年供应的第6代HBM4 12层堆叠产品，也计划提前至明年实现量产。

SK海力士首席执行官（CEO） Kwak Nojeong 本月2日在记者座谈会上公布上述计划时强调称：“今年之后，HBM市场将在为提升AI性能而增加参数数量、AI服务提供商扩容等因素的推动下继续增长。”

SK海力士上月还与全球第一大晶圆代工企业、台湾的台积电（TSMC）签署了技术合作谅解备忘录（MOU），就计划于2026年量产的HBM4开发展开协作。

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。