SK海力士：“HBM销售额将达130亿至170亿美元级别…市场需求增长60%”〔综合〕
SK海力士在利川举行记者恳谈会
包括Gwak Nojeong社长在内的AI相关高管出席
HBM与NAND内存市场前景乐观
HBM3E 12层产品将于第三季度量产
“（从2016年至今）高带宽内存（HBM）的累计销售额预计将在约100亿美元中段。今年之后，随着人工智能（AI）需求上升，HBM市场将持续增长，从中长期来看，预计年均需求增速将达到60%。”
SK海力士社长 Gwak Nojeong 2日在京畿道利川总部举行的记者座谈会问答时间中作出上述表示。在以“AI时代，SK海力士的愿景与战略”为主题举行的当天座谈会上，Gwak社长表示：“云服务提供商（CSP）的AI服务器投资正在扩大，AI服务质量也在提升，由此带来的新增需求使得需求可见度提高”，并对HBM市场作出积极评价。
此前，Gwak社长已在今年1月于美国拉斯维加斯举行的全球最大电子·IT展会“CES 2024”记者座谈会上，与记者见面时透露过一轮AI业务计划。时隔约4个月，又在国内召开座谈会，积极展开沟通。这是公司在国内首次举行社长级别的座谈会。
当天活动上，负责AI基础设施的社长 Kim Juseon，以及负责DRAM开发的副社长 Kim Jonghwan、负责N-S委员会的副社长 An Hyeon、负责制造·技术的副社长 Kim Youngsik、负责P&T的副社长 Choi Woojin、负责未来战略的副社长 Ryu Byeonghun、首席财务官（CFO）副社长 Kim Uhyun 等主要经营管理层也一同出席。
针对近期随着三星电子和美国美光等竞争企业参与市场、供应增加而引发的担忧，Gwak社长解释称：“关于供过于求的风险将会逐步减弱。”他的说明是，HBM不同于普通DRAM，是以需求为基础进行投资，而且正逐步向定制化产品演进，因此其业务结构与通用型产品不同。
他也回顾称，获得AI半导体竞争力花费了很长时间。Gwak社长表示：“自从2012年SK海力士并入SK集团以来，因存储器景气不佳，多数企业都在削减投资，但SK海力士却决定扩大投资”，“当时在各个领域都作出了扩大投资的决定，其中也包括了何时打开市场尚不明朗的HBM投资。”他接着说：“其结果是在2013年实现了全球首次开发HBM这一成果。由于HBM的特性，与客户和合作伙伴的协作极为重要，而这方面的合作进行得十分紧密顺畅”，“SK集团会长 Chey Taewon 的全球网络同样对巩固HBM领导力产生了影响。”
自左起为 Kim Juseon 社长（负责 AI 基础设施）、Gwak Nojeong 代表理事社长、An Hyeon 副社长（负责 N-S Committee）、Kim Uhyeon 副社长（首席财务官） / 照片由 SK hynix 提供
View original imageSK海力士还强调了作为HBM竞争力基础的MR-MUF等技术实力。副社长 Kim Jonghwan 表示：“基于业内最高水平的极紫外光（EUV）工艺生产效率和1纳米（1纳米=10亿分之1米）的成熟度，HBM3E量产爬坡（Ramp-up）也在稳定推进。”他接着说：“MR-MUF从HBM2E 4层开始应用，在HBM3及HBM3E 8层上也保持着最高水平的品质竞争力”，“HBM3 12层同样已通过MR-MUF实现量产，我们有信心能够在客户需求时间点，适时持续保持最高水平的品质。”
对于上月出现的“半导体市场增长可能低于预期”的担忧，公司评价称：“由于面向AI的需求持续强劲等带来的供需改善，公司已进入盈利性扩大的本格复苏周期初期阶段。”社长 Kim Juseon 表示：“HBM裸片尺寸大、工序多，一旦将更多产能分配给包括HBM在内的高端产品，普通DRAM的产量可能会减少，目前库存正在急剧下降”，“从下半年起，个人电脑和移动设备、普通服务器等传统应用领域的需求也将得到改善，存储器市场将实现稳定增长。”他续称：“公司的价格谈判和供货量协商情况并没有想象中那么差”，“鉴于对供应商有利的价格环境有望持续，今年存储器市场前景相当乐观。”
SK海力士也表达了对近期开始回暖的NAND市场的期待。副社长 An Hyeon 表示：“从第一季度开始，作为NAND存储需求核心的AI服务器存储用大容量固态硬盘（SSD）产品需求开始正式释放，市场需求已扭转过去1年6个月至2年间的下行周期，转向增长”，“明年起，随着用于个人电脑和移动终端的端侧AI产品采用增加，面向个人设备的NAND需求也将扩大，我们预计销售额和利润都将大幅增长。”他还表示：“针对快速增长的大容量SSD需求，我们已准备好了全球唯一的基于QLC的大容量60TB企业级SSD（eSSD），将以此进行应对，同时SK海力士今年也将开发基于QLC的60TB产品”，“到明年，我们还将准备最高达到300TB的超大容量产品，与Solidigm一道应对客户需求。”
为开发第6代HBM——HBM4，公司将加强与台湾晶圆代工企业台积电（TSMC）的合作。Kim社长表示：“此前一直与TSMC开展大量技术合作，最近又就更为深入的技术交流进行了协商。”他又解释称：“HBM由核心裸片（Core Die）和基底裸片（Base Die）构成，在HBM3E之前，如果说我们是在DRAM工艺中生产，那么从HBM4开始，存在必须将性能和效率拉升到极致的难题，因此将利用逻辑工艺，与TSMC合作生产基底裸片。”
关于龙仁集群后续晶圆厂建设计划，公司将根据市场需求灵活决定。副社长 Kim Youngsik 表示：“目前第一期晶圆厂一期工程如先前所说，将从明年开工，2年后投产，以届时生产的DRAM产品为基准配置晶圆厂设备”，“二期、一号厂二期等尚未确定，将根据市场需求推进供应。”
HBM产量至明年为止均已售罄……12层HBM3E计划三季度量产
Gwak社长在当天座谈会发布中表示，HBM产量不仅今年，而且到明年为止大部分都已售罄，暗示目前供给难以赶上需求。
Gwak社长解释称：“为在技术层面进一步巩固市场领导力，我们将在5月提供全球最高性能HBM3E 12层产品的样品，并为第三季度实现量产做好准备。”他补充说：“今后将通过强化成本竞争力、以高收益产品为中心扩大销售，实现扎实的‘质量增长’，并通过能灵活应对需求环境变化的投资方式，提升财务健全性。”
自左起依次为：Ryu Byunghun 副社长（负责未来战略）、Choi Woojin 副社长（负责 P&T）、Kim Youngsik 副社长（负责制造技术）、Kim Jooseon 社长（负责 AI Infra）、代表理事社长 Kwak Nojeong、副社长 Ahn Hyun（负责 N-S Committee）、副社长 Kim Woohyun（首席财务官）、副社长 Kim Jonghwan（负责 DRAM 开发）。SK海力士提供
View original imageGwak社长还强调：“SK海力士将以技术竞争力为基础，为客户提供差异化价值，确保具备能够及时响应客户需求的生产能力，成长为AI时代最受客户信赖、同时又内功扎实的企业”，“作为全球代表性半导体企业，我们将带头为拥有晶圆厂的利川、清州、龙仁等当地社会以及韩国经济作出贡献，推动韩国跻身AI半导体强国。”
当天，Kim社长发表了“AI存储愿景”，副社长 Choi 发表了“SK海力士HBM核心技术实力与美国先进封装推进情况”，副社长 Kim 发表了“清州M15X及龙仁集群投资”相关内容。副社长 Choi 表示：“上个月我们已确定在印第安纳州韦斯特拉斐特建设AI存储用先进封装生产基地”，“印第安纳工厂计划从2028年下半年开始量产包括下一代HBM在内的AI存储产品。”他还解释称：“印第安纳是以美国中西部为中心的半导体生态系统——‘硅心地’（Silicon Heartland）的主要据点。”
副社长 Kim 表示：“为应对激增的AI存储需求，在2027年龙仁半导体集群第一座晶圆厂投产之前，有必要扩大产能，因此决定在清州建设M15X”，“我们将构建包含EUV在内的HBM一体化生产工艺，且该厂与正在扩充硅通孔（TSV）产能的M15相邻，可最大化HBM生产效率。”
关于龙仁集群，他表示：“SK海力士首座晶圆厂将入驻的一阶段用地开发工程进展率已达42%，整体进度顺利”，“计划于2025年3月开工建设，2027年5月竣工。”他接着说：“我们还计划在集群内建设小型晶圆厂（Mini Fab），材料·零部件·设备企业可以在与真实量产环境相近的环境中验证其试制品，并获得有助于提升技术成熟度的最佳解决方案。”
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