HBM 设计与制造设施可享最高 25% 税额抵免
企划财政部推进修改18项实施细则
政府将把针对高带宽存储器（HBM）商业化设施的投资税额抵免率最高上调至25%。
企划财政部27日表示，将推进包括上述内容在内的18项施行规则修订。
首先，将修改《税收特例限制法施行规则》，扩大国家战略技术商业化设施和新成长商业化设施的适用范围。
国家战略技术商业化设施在适用临时投资税额抵免时，可享受高于一般设施（大企业·中坚企业·中小企业分别为3%·7%·12%）的投资税额抵免率（分别为15%·15%·25%）。目前半导体、二次电池、疫苗、显示器、氢、未来型交通工具、生物医药品等7个领域共50个设施被认定为此类设施。
此次规则修订后，半导体种类中将纳入HBM。此外，在显示器领域，将新增有机发光二极管（OLED）像素形成及封装工艺设备和部件制造设施；在氢能领域，将新增▲氢燃气轮机（混烧·纯烧）设计及制造技术相关设施 ▲氢基还原炼铁技术相关设施 ▲氢储存效率化技术相关设施等。
新成长商业化设施在适用临时投资税额抵免时，同样可享受高于一般设施（大企业·中坚企业·中小企业分别为3%·7%·12%）的投资税额抵免率（分别为6%·10%·18%）。目前未来型汽车、碳中和等13个领域共181个设施被认定为此类设施。
在此基础上，将新增一体化反应堆模块制造设施、生物质航空燃油生产设施，并新设防务产业领域，整体扩大为14个领域共185个设施。
本次规则修订是为规定去年税法修订及施行令所授权的事项和主要改进内容而制定的，将自本月28日起经过立法预告、部门协商和法制处审查等程序，于下月公布并施行。
此前，政府已于上月发布了税法施行令修正案，对上述技术的研究开发（R&D）费用给予最高40%至50%的税额抵免。
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