存储芯片反弹信号增强…DRAM与NAND价格已连涨3个月

作为存储器半导体的DRAM和NAND闪存价格已连续三个月上涨。预计三星电子和SK海力士等半导体企业的业绩改善也将加快。

根据29日市场调研机构DramExchange的数据，PC用DRAM通用产品（DDR4 8Gb）12月平均固定交易价格为1.65美元，较上月上涨6.45%。

三星电子基于 DDR5 规格的 12 纳米级 DRAM。三星电子供图

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DRAM价格在今年10月大涨15.38%，自2021年7月（上涨7.89%）以来时隔2年3个月首次反弹，11月又上涨3.33%，涨势持续。

NAND价格也同步走高。存储卡、USB用NAND闪存通用产品（128Gb 16Gx8 MLC）12月固定交易价格为4.33美元，较上月上涨6.02%。NAND同样自10月起转为上涨，10月环比上涨1.59%，11月上涨5.41%，本月涨幅进一步扩大。

分析认为，随着三星电子和SK海力士等主要存储器企业减产效果正式显现，价格随之走高。

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预计明年存储器价格的回暖也将延续。市场调研机构TrendForce预测，明年第一季度移动DRAM和NAND闪存（eMMC/UFS）价格将上涨18%至23%。TrendForce表示：“在存储器价格进一步上涨之前，需求方必须先行补库存”，“就DRAM而言，预计明年第一季度将出现两位数的价格涨幅。”

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