三星电子攻克闪存难题：“有望推动技术创新与人工智能进步”

by Kim Pyeonghwa

Published 14 Dec.2023 11:33(KST)

揭示闪存存储原理
相关论文刊登于世界顶级学术期刊

三星电子成功揭示了长期以来被视为技术难题的闪存存储相关的根本原理。公司预计，此次成果将有助于突破闪存微缩化极限，并加速人工智能（AI）等核心技术的进步。

三星电子14日表示，公司创新中心CSE（Computational Science and Engineering，计算科学与工程）团队在世界顶级学术期刊《Advanced Materials》（《先进材料》）上发表了关于闪存存储原理的论文。

参与论文的三星电子创新中心 CSE 团队与 SAIT（前综合技术院）研究人员合影。自左起为 SAIT 的 Yang Seungyeol Master 和 Oh Youngtaek，创新中心 CSE 团队的 Kim Daeshin 常务、Choi Wooni、Son Wonjun 组长、Kwon Euhee DE（Distinguished Engineer）。三星电子半导体新闻室供图

创新中心CSE团队是利用超级计算机等高性能计算机，对包括半导体工艺、存储器在内的各类器件的电学特性以及材料的多种特性进行仿真的部门。

此次团队揭示了在闪存信息存储中起核心作用的非晶硅氮化物中电子得以稳定存储的根本原理，并凭借这一成果的优越性，在材料工程领域学术期刊《Advanced Materials》上发表了相关论文。

闪存是一种即使电源切断也能保存数据的存储器半导体。三星电子一直持续开展研发，实现了闪存技术创新。但在原子尺度上要明晰阐释闪存的根本存储机理一直存在困难。

三星电子方面表示：“在非晶硅氮化物中稳定束缚电子，这一机制就是闪存的存储原理，而在本研究之前，与该存储原理相关的具体内容尚未被揭示，因而构成了技术债务”，“本次研究在于从原子尺度揭示了此前被忽视的工作机理，具有重要意义”。

该公司还补充称：“V-NAND（闪存的一种，即NAND闪存）在一代代演进的过程中，对高度微缩化的需求日益迫切”，“从根本上理解原子尺度上发生的现象，是今后实现存储器开发创新的必经过程”。