存储器价格连续2个月上涨…预计明年三星与SK海力士营业利润达20万亿韩元
DRAM与NAND价格连续两个月上涨
三星、SK明年有望扭亏为盈
扩充高性能・大容量存储器生产线
加大HBM设备投资
积极布局端侧AI
虽然12月正式寒潮来袭，但半导体市场却吹起了春风。D램和NAND价格已连续两个月上涨，显示存储半导体市场正进入实质性复苏阶段。曾深陷亏损泥潭的三星电子和SK海力士也预判明年将转为盈利。与此同时，业界还预计，应用于生成式人工智能（AI）服务器的高带宽存储器（HBM）以及专用于端侧AI（On-device AI）的D램需求将大幅激增。有分析认为，明年起市场将开始恢复常态运行，之后若新增需求出现爆发式增长，长期超级繁荣周期也并非不可能。
近期市场调研机构D램익스체인지는表示，D램和NAND价格已连续两个月维持上涨态势。用于个人电脑的D램通用产品（DDR4 8Gb）11月平均固定交易价格为1.55美元，较前一个月上涨3.33%。用于存储卡和USB的NAND闪存通用产品（128Gb 16Gx8 MLC）11月固定交易价格平均为4.09美元，比前一个月上涨5.41%。
D램和NAND在今年10月分别上涨15.38%、1.59%，这是自2021年7月以来时隔2年3个月首次反弹。随着半导体制造商减产，再加上三星电子、SK海力士全力投入HBM等新型高性能、高附加值半导体的生产，市场认为既有产品的产量不会进一步增加，客户企业因此开始积极采购。其结果是，此前因库存过剩而被低价抛售的D램和NAND闪存价格正逐步回归正常水平。半导体专家指出，随着存储半导体企业的价格谈判力在一定程度上恢复，市场正重新转向以供应方为主导。
经历最糟糕阶段之后，三星电子半导体（DS）部门和SK海力士的业绩也有望恢复。随着明年存储市场回暖，两家公司的合计营业利润预计将超过20万亿韩元。这与今年三季度前分别累计录得12.69万亿韩元、8.0763万亿韩元亏损形成鲜明对比。金融投资业界预计，明年三星电子DS部门营业利润将在14万亿至15万亿韩元之间，同期SK海力士营业利润则预计在8.5万亿韩元左右。
三星电子和SK海力士正忙于为迎接新的半导体繁荣周期做准备。特别是，两家公司计划集中扩大应对AI和高性能计算市场增长的高性能、大容量存储器生产线。
首先，设备投资将主要投向与HBM相关的基础设施。预计明年包括ChatGPT在内的各类生成式AI服务热潮仍将持续，对其中所采用的核心存储半导体HBM的需求也将继续增长。三星电子决定到明年为止，将HBM产能提升到目前的2.5倍水平。三星电子存储事业部副社长Kim Jaejun在三季度业绩发布时表示：“已经与主要客户就明年供应量完成协商。”在HBM市场抢占先机的SK海力士也被传将以高端产品为主，将明年设备投资规模在今年基础上提高约50%。SK海力士在三季度业绩发布中表示：“不仅HBM3，连HBM3E在内，明年的产能都已‘售罄’。”这意味着尚未生产出的产品已经全部卖完。
两家公司也在应对AI服务不再经过服务器或云端，而是直接在智能手机或个人电脑上运行的“端侧AI技术”时代。三星电子决定在明年1月即将发布的“Galaxy S24”系列中搭载其自主开发的生成式AI“Gauss”。从明年四季度起，还将开始量产专为端侧AI优化的低延迟宽带（LLW）D램。SK海力士则计划从向预计于明年3月发布的苹果增强现实（AR）设备“Vision Pro”供应高带宽专用D램起步，进军端侧AI存储器市场。
![“月薪150万不如去美国年入5亿” 首尔大·KAIST人才纷纷收拾行囊 [科学家正在消失]①](https://cwcontent.asiae.co.kr/asiaresize/93/2026051914165468840_1779167814.png)
市场调研机构TrendForce预测，到2027年，AI服务器市场的年均增长率将达到36%左右。迄今为止，AI时代的最大受益者是生产被视为AI用中央处理器（CPU）的图形处理器（GPU）的美国英伟达，但AI时代的红利也已开始逐步流向存储半导体企业。业内人士由此开始认为，明年将成为存储半导体超级繁荣或“超级周期”的元年。国际金融中心副专业委员Lee Eunjae表示：“存储半导体市场今年较上年同比负增长超过35%，但预计明年将出现超过43%的反弹。”
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
