通过高附加值DRAM产品改善三季度业绩
“HBM未来5年年均最高增速达80%”
明年将推进先进制程转换并扩大HBM投资
得益于包括高带宽内存（HBM）在内的高附加值产品效应，SK海力士在第三季度的DRAM部门重新实现盈利。随着对第四季度业绩恢复的期待升温，预计明年将因各类应用市场回暖而实现业绩增长。SK海力士计划在明年加快向先进制程的转换，并扩大投资，以在HBM市场中巩固竞争优势。
SK海力士在第三季度增加了面向人工智能（AI）的HBM3、高容量双倍数据速率（DDR）5以及高性能移动DRAM等DRAM主力产品的销售，较上一季度缩小了亏损幅度。DRAM比特增长（Bit Growth，以比特为单位换算的产量增幅）环比增加约20%，平均销售价格（ASP）也上涨10%，使得DRAM部门业绩在两个季度后重新转为盈利。NAND闪存的销量虽然增加，但ASP较上一季度小幅下滑。
SK海力士指出，随着半导体景气回升，DRAM和NAND市场的复苏正在加速。在下半年存储器供应商减产效果愈发明显的背景下，以库存减少的客户为中心，存储器需求正在增加。产品价格也逐步进入稳定区间。作为半导体景气指标的DRAM固定交易价格自上月起停止下跌。全球市场调研机构DRAMeXchange公布，个人电脑用DRAM通用产品（DDR4 8Gb 1Gx8）上月平均固定交易价格为1.30美元，与8月价格持平。自4月以来连续走低的价格触底后，已出现反弹迹象。
就DRAM而言，在生成式AI带动下市况持续改善，以HBM为中心的“饭碗”预计将延续到明年。SK海力士方面表示：“预计HBM市场在今后5年将以年均60%至80%的速度增长”，“HBM在整个DRAM市场中所占比重有望升至10%中后段区间。”公司还称：“HBM产品的转换速度非常快，这样的环境到明年为止都将对我们有利”，“我们正与客户和合作伙伴持续就技术协作及产能（capacity）进行讨论。”
公司方面表示，今后将尽最大努力延续全公司经营业绩改善的趋势。SK海力士去年的资本支出（CAPEX）规模为19万亿韩元，今年已表态将较去年削减50%以上。明年计划较今年增加CAPEX，但会在考虑财务稳健性的前提下将增幅控制在最低水平。相应地，将通过加快工艺转换速度，扩大以HBM、DDR5、低功耗双倍数据速率（LPDDR）5等高附加值产品为中心的投资。公司将以DRAM 10纳米第四代（1a）、第五代（1b）为核心进行工艺转换，同时扩大对HBM和硅通孔（TSV）的投资。TSV是一种在DRAM芯片上打出数千个微小孔洞并以电极相连的先进封装技术。
SK海力士首席财务官（CFO）Kim Woohyun副社长表示：“今后我们将通过HBM、DDR5等公司在全球位居首位的产品，开创新的、不同于以往的市场”，“将持续强化作为高性能高端存储器第一供应商的地位。”
另一方面，SK海力士当天通过电话会议表示，不同意日本铠侠与美国Western Digital的合并案。公司方面称：“由于保密协议的限制，无法提及具体理由及合并推进过程的细节”，但首次就相关议题表明立场。公司还解释称：“我们综合考虑了对铠侠投资的价值等因素”，“可以明确的一点是，我们将做出有利于投资者、铠侠等所有利益相关方的选择。”SK海力士通过间接方式持有铠侠股份，因此对本次合并拥有同意权。
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