以HBM等高附加值DRAM为主带动业绩改善
亏损较第二季度收窄超1万亿韩元
“将加大对高附加值主力产品投资”
SK海力士在第三季度将营业亏损规模环比缩小逾1万亿韩元,录得约1万亿韩元水平的营业亏损。随着高附加值DRAM销量增加,平均销售价格(ASP)也随之上升,DRAM部门在时隔两个季度后重新转为盈利。
SK海力士26日表示,公司第三季度实现销售额9兆662亿韩元。该数值同比减少17%,但环比增长24%。第三季度营业亏损为1兆7920亿韩元,较上一季度亏损规模缩小逾1万亿韩元,营业亏损率为20%。净亏损为2兆1847亿韩元。
SK海力士指出,随着以高性能存储产品为中心的市场需求增加,以第一季度为低点,业绩正持续改善。用于人工智能(AI)的高带宽存储器HBM3、大容量双倍数据速率DDR5以及高性能移动DRAM等主力产品销量表现强劲。第三季度DRAM和NAND闪存的销量均有所增加。尤其是随着DRAM ASP上升,第三季度DRAM部门在时隔两个季度后重新实现盈利。
按产品来看,DRAM受AI等高性能服务器用产品销售良好带动,出货量较第二季度增加约20%。ASP也上升了约10%。NAND方面,以大容量移动产品和固态硬盘(SSD)为中心,出货量有所增加。已扭亏为盈的DRAM,伴随生成式AI热潮,景气有望持续改善。仍在亏损的NAND也逐渐出现景气回暖的迹象。实际上,在今年下半年存储器供应商减产效果开始显现的背景下,以库存减少的客户为中心,存储器采购需求正在被激发。产品价格也开始进入稳定阶段。
SK海力士表示,将全力以赴,延续全公司经营业绩改善的趋势。公司将顺应市场复苏趋势,扩大对HBM、DDR5以及低功耗双倍数据速率LPDDR5等高附加值主力产品的投资。公司计划在将工艺转向以DRAM 10纳米第四代(1a)和第五代(1b)为中心的同时,扩大对HBM和硅通孔(TSV)的投资。TSV是在DRAM芯片上打出数千个微小孔洞并将其连接为电极的先进封装技术。
SK海力士副社长兼首席财务官(CFO)Kim Woohyun表示:“今后将通过HBM、DDR5等公司已占据全球首位的产品,创造有别于以往的新市场”,并称“将持续强化作为高性能高端存储器第一供应商的市场地位”。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。