三星电子在硅谷发布“Shinebolt”等AI时代新一代存储器

by Park Sunmi

Published 21 Oct.2023 03:00(KST)

Updated 21 Oct.2023 04:10(KST)

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三星在美国硅谷举办“Samsung Memory Tech Day 2023”
发布引领超大规模人工智能时代的“下一代存储解决方案”

三星电子于20日（当地时间）在位于美国硅谷的麦克纳利会展中心，以“重新定义存储器角色”为主题举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”，并公开了将在超大规模人工智能（AI）时代发挥主导作用的下一代存储器解决方案。

三星电子当地时间20日在美国硅谷的麦克埃纳里会展中心举办“Samsung Memory Tech Day 2023”，集中发布将在超大规模人工智能时代发挥主导作用的下一代存储解决方案。照片为当天公开的三星电子HBM3E DRAM。三星电子提供。图片由联合通讯社提供

三星电子表示，迎接AI时代，正在致力于提升DRAM集成度。继今年5月开始量产12纳米级DRAM之后，三星电子正在开发下一代11纳米级DRAM，目标是实现业界最高水平的集成度。目前正为10纳米以下DRAM导入3D新结构做准备，并计划借此将单颗芯片的容量扩展到100Gb（千兆比特）以上。

三星电子还在开发第9代V-NAND的最高层数产品，并已在今年年初前成功获得量产所需的工作芯片。公司表示，将通过缩小单元的平面面积和高度以减少体积，并利用提升层数的核心技术，着手迎接1000层V-NAND时代。

下一代HBM3E DRAM“Shinebolt”也首次亮相。三星电子在2016年率先业界实现用于高性能计算（HPC）的HBM2商用化，开启HBM时代，此后一直专注于下一代DRAM的开发。

“Shinebolt”在每个数据输入输出引脚上可提供最高9.8Gbps的高性能。这一速度可实现每秒处理1.2TB以上数据（相当于每秒可处理40部容量为30GB的超高清电影）。通过优化NCF（非导电粘合膜）技术，将芯片之间的空隙完全填充，实现高层堆叠，并最大化热传导，从而改善了散热特性。三星电子表示，正在向客户提供下一代产品HBM3E样品。

Samsung Electronics存储器事业部社长 Lee Jungbae 当地时间20日在美国硅谷麦克纳利会展中心举行的“Samsung Memory Tech Day 2023”上发表演讲。Samsung Electronics提供。图片由韩联社提供。

三星电子还公开了可在用户终端侧支持高性能、大容量、低功耗、小型化封装等需求的解决方案。尤其是业内首款开发出的7.5Gbps LPDDR5X CAMM2，被视为将改变下一代个人电脑和笔记本DRAM市场格局的产品，吸引了与会者的高度关注。此外，公司还展示了通过存储虚拟化技术，将一块固态硬盘分割供多个系统级芯片（SoC）使用的“Detachable AutoSSD（可拆卸车载固态硬盘）”。该产品最高可支持6500MB/s的连续读取速度，并提供4TB容量。同时采用可拆卸封装形式，便于轻松更换固态硬盘，从而方便进行性能升级等操作。

三星电子存储器事业部社长 Lee Jeongbae 表示：“超大规模AI时代是技术创新与增长机遇交汇的节点，将成为业界实现更大飞跃和迎接挑战的时期。我们将提供突破极限的扩展性解决方案，持续引领存储器市场。”他补充称：“我们将通过引入全新结构和材料，克服在超大规模AI时代面临的难题。”

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三星电子于20日（当地时间）在位于美国硅谷的麦克纳利会展中心举办“Samsung Memory Tech Day 2023”，集中发布将在超大规模人工智能时代发挥主导作用的下一代存储解决方案。图为 Samsung Memory Tech Day 2023 现场展台。三星电子提供。图片由联合通讯社提供。

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。