中国科研团队开发半导体光刻机技术…在美国制裁下推进国产化

by Kim Pyeonghwa

Published 25 Sep.2023 17:38(KST)

Updated 25 Sep.2023 19:08(KST)

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利用粒子加速器打造新光源项目取得成果

有外媒报道称，中国科研团队开发出了可应用于尖端半导体光刻设备的相关技术。有观点称，中国有望以此类研究为基础，在本土建设光刻机工厂，从而应对美国的相关管制。

据香港《南华早报》（SCMP）25日报道，中国清华大学研究团队利用粒子加速器打造新型光源，推进名为SSMB（Steady-State MicroBunching，稳态微束团）的项目并取得成果。据悉，中国正以该技术为基础，推动在雄安新区建设大规模半导体光刻设备工厂。

SCMP称，清华大学研究团队利用粒子加速器，研发出一种与现有极紫外线（EUV）光刻机相比，成本更低但输出功率高出数倍的新型光源。报道称，在将落户雄安新区的光刻设备工厂中，粒子加速器产生的电子束将被转换为高品质光源，未来将在半导体制造和科学研究现场得到应用。

路透社联合新闻社供图

美国的管制是促使中国采取此类行动的背景原因。美国目前限制本国半导体设备企业向中国出口尖端半导体设备。作为盟友的日本和荷兰也加入了相关限制。荷兰在此过程中禁止本国半导体设备企业阿斯麦（ASML）出口极紫外线（EUV）光刻机。

EUV光刻机是生产7纳米（nm，1nm为十亿分之一米）及以下尖端半导体时必不可少的设备，用于在作为半导体基板的晶圆上绘制电路图案。在阿斯麦是全球唯一能够生产EUV光刻机的情况下，供应被阻断，外界认为这促使中国走上自主研发之路。

外媒认为，中国自主开发光刻设备，有可能在低成本基础上推动半导体量产，并进一步使中国在2nm及以下超微细半导体生产领域发挥引领作用。

负责SSMB项目的清华大学教授Tang Chuanxiang在清华大学官网发布的报告中表示：“我们研究的潜在应用领域之一，就是作为未来EUV光刻机的光源”，“国际社会之所以密切关注我们的研究，正是出于这一原因”。

他还表示：“要实现完全自主的EUV光刻机研发，道路依然漫长”，但同时也预测称：“基于SSMB的EUV光源有望成为我们应对制裁技术的一种替代方案”。

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。