韩半导体业界：“限制中国扩充尖端产能在5%以内已足够”
未获同意将先进半导体产能扩张幅度从5%提高到10%
“实际上5%的上限也足够”
三星电子和SK海力士今后若要获得在美国设立和运营工厂所需的补贴，必须依据美国《芯片与科学法案》护栏（安全装置）最终规章，将其在中国工厂的先进半导体生产能力（以年度晶圆投片量为准）限制在5%以下。尽管我国政府和业界此前要求将先进半导体实质性扩产上限提高到10%的诉求未获采纳，但即便限制在5%以下，预计也不会对企业在中国的生产战略带来重大变化。
25日，半导体业界表示，此次公布的美国《芯片与科学法案》护栏最终规章并未大幅偏离此前预期，因此普遍感到放心。与此前公布的细则草案一样，我国企业在中国运营的生产设施得以保证维持和部分扩张，只要与美国商务部协商，技术升级也有可能实现。
韩国半导体产业协会常务理事 Ahn Gihyun 表示：“我们曾要求将先进半导体生产能力的扩张上限提高到10%，但最终仅定为5%，这点可能会让人感到遗憾。不过事实上，要让中国的先进半导体产量突破5%并不容易”，“即便美国不进行管制，要让中国的先进半导体生产能力按年度晶圆投片量计算超过10%也很困难，因此半导体业界整体并未出现较大动荡”。护栏最终规章对一定规格以下的传统（成熟工艺、通用产品）半导体生产设备作出规定：▲现有设备允许在原有基础上扩张不到10%；▲若由传统工艺生产的半导体中，有85%被用于中国国内最终产品内销，则对其扩产规模不设限制。
相反，国内企业对“哪怕是5%也能在中国扩张先进半导体生产能力”这一点反而表示欢迎。某半导体业界相关人士称：“在被归类为先进半导体的第8代NAND产品已经由中国企业量产的情况下，人们曾担心作为半导体第一的三星会不会反而无法在西安工厂生产该产品，但随着此次最终规章敲定，这一担忧反而得以消除。”
他补充说：“就第8代NAND新工艺而言，本身就很难将产量扩充到超过5%，因此即便设定5%以下产量的限制，也不会给企业带来不利影响。”另一位半导体业界人士表示：“护栏最终规章大致在可预见范围内，整个业界都感到放心”，“SK海力士目前在中国同时生产DRAM和NAND，其中DRAM虽采用先进半导体工艺，但并非必须立刻扩大在中国的产量；而NAND方面，目前并未在中国生产超过200层的先进产品，因此受美国管制的影响较小。”
我国政府自美国去年8月《芯片与科学法案》生效后，在其制定护栏条款细则的过程中，一直与美方主管部门保持密切磋商，力求最大程度反映我方立场。其结果是，与草案相比，▲产能测算标准（晶圆投片量）从按月统计改为按年统计，以更好反映半导体市场的季节性波动；▲在建设备在与美国商务部协商时，可被认定为不适用护栏限制的例外情况。
此外，▲企业正在进行的研究（需与商务部协商）以及为制定国际标准而开展的活动等，被排除在技术合作限制范围之外，这也是一项成果；▲对于超过5%的扩产，将原先以10万美元为基准的投资金额上限，改为通过与企业签署协议来确定，这一点也可视为改进之处。对此，产业通商资源部评价称：“规章反映了业界一般的经营环境，预计将能保障不涉及国家安全忧虑的正常商业活动。”
半导体业界认为，美国在制定《芯片与科学法案》护栏最终规章的过程中，已经相当程度地反映了韩国企业的立场，因此尚未最终敲定的对华半导体设备出口管制豁免措施，有较大可能再延长一年。美国去年10月开始限制向中国境内生产设施出口半导体设备，但给予三星电子和SK海力士1年的出口管制豁免期。随着下月半导体设备出口管制豁免期即将到期，我国政府正与美方主管部门进行最后阶段谈判，力争推动豁免期追加延长，并就可进口的特定设备清单达成方案。
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