SK海力士展现HBM信心：“凭第一名基因称霸AI存储市场”
全球首款HBM3E问世：“One Team文化彰显公司底蕴”
SK海力士表现出有信心称霸人工智能（AI）用HBM（高带宽存储器）半导体市场。
SK海力士于19日在自家新闻室发布了HBM3E开发团队的采访。HBM3E是第5代HBM产品，由SK海力士于上月率先在全球开发成功。其容量、数据处理速度、散热性能等较前一代产品HBM3都有所提升。
容量较HBM3增加了1.4倍。随着今后推出12层堆叠产品，容量有望进一步扩大。因为目前即便是8层堆叠，也已经实现了相当于HBM3 12层堆叠水准的容量。速度提升了1.3倍，单引脚最高处理速度达9.2Gbps，整颗芯片每秒最高超过1.15TB（太字节）。这是HBM产品中首次突破每秒TB级别的“墙”。相当于每秒可处理超过230部全高清（FHD）级电影（每部5GB）的数据。散热性能较前一代提升了10%。公司强化了散热材料及相关封装技术。
HBM3E可在HBM3用系统和设计上直接沿用，这一点也极具吸引力。按照国际半导体标准化组织（JEDEC）标准，其封装外观等都与HBM3完全一致。DRAM产品企划TL Hwang Hyun表示：“我们根据客户需求，从速度、容量、发热控制等方面着手，率先在全球成功开发出改进型HBM3E”，“由于积极反映了客户公司的反馈，市场反应也相当积极。”
SK海力士第5代HBM（高带宽存储器）半导体“HBM3E”开发主力成员。
从左起依次为：Lee Jaeseung HBM设计TL、Hong Yangsuk HBM PE TL、Hwang Hyun DRAM产品企划TL、Ha Gyeongmu HBM封装产品TL、Park Onjeon DRAM开发TL。SK海力士提供
开发团队表示，凭借SK海力士的“第一名DNA”，有信心称霸AI用存储器市场。他们强调，在开发出12层堆叠HBM3 24GB（千兆字节）封装后，仅用3个月就完成了HBM3E的开发。从HBM最初问世到HBM3E，SK海力士持续扮演“先行者”角色，巩固了技术领导地位。
下一项课题是能否稳定量产HBM3E。在性能方面，也必须持续推出比“每秒TB级”速度更高的高品质产品，才能赢得客户公司的“示爱”。HBM设计TL Lee Jaeseung表示：“有时业界认为HBM当然是SK海力士第一，这种视角会带来压力，但归根结底，我们有信心一定能做到。”
HBM PE TL Hong Yangsuk表示：“由于前瞻性产品开发工作中难题众多，成员之间只能变得更加紧密”，“‘One Team（一个团队）’文化是公司巩固HBM技术领导力的底气所在。”
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