三星电子·SK海力士“半导体技术外泄至中国”合作公司员工被判监禁
因涉嫌将三星电子和SK海力士的半导体核心技术窃取并流向中国，遭到起诉的国内协力厂商员工在一审中被判处有期徒刑。
13日上午，首尔中央地方法院刑事第25-3庭（审判长 Ji Guyoun）以违反《产业技术保护法》等罪名，判处国内半导体设备企业M公司副社长 Shin某有期徒刑1年。研究所所长 Lim某和营业集团长 Park某均被判处有期徒刑1年6个月，缓刑2年，并处罚金3000万韩元。一起被起诉的品质集团长等其他大部分员工也被认定有罪，被判处有期徒刑缓刑或罚金刑。对M公司法人则判处罚金4亿韩元。
Lim某和Park某等人因涉嫌在2018年8月至2020年6月期间，将SK海力士的HKMG半导体制造技术和清洗工艺配方等国家核心尖端技术泄露给中国半导体竞争企业，于2021年1月被移送审判。HKMG技术是为提升动态随机存取存储器（D-RAM）性能而采用新材料的最新半导体制造工艺技术。Shin某等人还被指控，秘密利用通过三星电子子公司Semes前员工获取的超临界清洗设备图纸等半导体尖端技术和营业秘密，开发面向出口中国的设备。Semes世界首创开发的超临界清洗设备，是三星电子在10纳米级D-RAM半导体制造中使用的核心技术，利用液态二氧化碳对半导体清洗用化学物质进行干燥。
检方在接到国家情报院产业机密保护中心的情报后立案调查。相关人员辩称相关技术归M公司所有，从而否认指控，但合议庭对大部分指控作出了有罪判断。作为Semes相关指控的共犯被起诉的M公司其他员工以及前Semes员工，在另案一审中分别被判处有期徒刑1年至1年6个月，目前已提起上诉。
另一方面，大检察厅今年4月向全国一线检察机关下发了《检察案件处理基准修订案》，决定通过对国家核心技术对外泄露犯罪原则上予以拘捕侦查等方式，进行严厉应对。国家核心技术对外泄露的量刑请求基准被提高为基本求刑7年，产业技术泄露则为基本求刑5年。检方还计划将受害规模作为主要量刑因素加以引入。根据大检察厅数据，从2017年起6年间，共查获117起产业技术对外泄露案件，其中约30.7%（36起）为国家核心技术泄露案件。以企业预期销售额、研发费用等为基础推算，从2017年至去年9月的受害规模约达26万亿韩元。
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