今年代工市场规模下滑6.5%
半导体寒潮中2纳米竞争激烈
英特尔紧追TSMC和Samsung引入High-NA
“2023年上半年,打算购买电子产品的消费者不多,相关市场需求也没有明显增长。为了调整产品库存的尝试在下半年也将持续。”
近期,市场调研机构IDC在一份关于今年全球晶圆代工(半导体代工生产)市场展望的报告中作出了上述表述。尽管人工智能(AI)和高性能计算(HPC)等部分领域需求旺盛,但由于市场上电子产品库存较多,客户订单减少,晶圆代工行业的业绩也将随之下滑。报告还预计,今年市场规模可能较去年缩减6.5%。
实际上,晶圆代工行业内不断传出反映市场环境严峻的消息。市场调研机构Gartner和TrendForce预计,今年晶圆代工市场规模将分别下降6.2%和4.0%。市场占有率过半的台湾台积电(TSMC)方面则预测,今年公司销售额将比去年减少约10%,这意味着公司自2011年以来,可能首次出现负增长。
尽管晶圆代工市场在半导体寒潮中一片冰封,但企业之间的竞争却愈发激烈。尤其是为了迎接将于2025年到来的2纳米(nm,1nm=10亿分之1米)时代,业内动作十分抢眼。即便当前形势不佳,各家公司仍在提升竞争力,以便在未来市场回暖时优先抢占新增“蛋糕”。
在晶圆代工行业中,与TSMC并列龙头阵营的第二名三星电子已启动3nm工艺量产,而美国英特尔(Intel)和日本Rapidus也即将加入先进制程竞争。英特尔表示,最快将在2024年上半年推出2nm级别的20埃(A,1A=0.1nm)工艺。Rapidus则称,将在2025年推出试制品,并从2027年起正式量产2nm工艺。
市场正关注这些后来者的影响力究竟会有多大。就英特尔而言,其计划在20A工艺中导入下一代晶体管技术——环绕栅极(GAA),以及通过从半导体芯片背面供电来提升性能的“PowerVia”技术。英特尔打算先在20A工艺中主要量产自家产品、提升技术水平,随后在2024年下半年,在18A(1.8nm级)工艺节点上承接外部客户订单。为在18A工艺中导入下一代高数值孔径极紫外(EUV)光刻设备“High-NA”,英特尔正与设备制造商荷兰ASML积极展开幕后协商。
三星电子同样计划在2025年推出的2nm工艺中,导入英特尔所称“PowerVia”的背面供电技术。不同于TSMC和英特尔从2nm工艺起才采用GAA技术,三星电子已在3nm工艺中实现了该技术,并借此提升了良品率。在有观点认为市场将自明年起逐步回暖的背景下,谁能在未来的2nm时代抢得先机,仍有待观察。
本文出自亚洲经济每周推出的专栏《Peace&Chips》。点击订阅即可免费获取文章。
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