三星电子将于10月在美国举办存储器大会
《芯片战争》作者Chris Miller教授也将出席
三星电子将于10月在美国举办展示最新存储器技术实力的活动。业界关注其是否会介绍引领人工智能（AI）时代的下一代动态随机存取存储器（D-RAM）及闪存（NAND Flash）业务战略。
三星电子将于10月20日在美国加利福尼亚州圣何塞的麦克纳利会议中心举行“Samsung Memory Tech Day 2023”。Samsung Tech Day自2017年起作为三星电子介绍下一代半导体的年度活动而举办。
三星电子今年将活动分为系统半导体（系统LSI事业部）和存储器半导体（存储器事业部）两大主题分别举行。在存储器活动之前，将于本月5日先举办系统领域活动“Samsung System LSI Tech Day 2023”。
在存储器活动上，将由三星电子DS部门美洲总括（DSA）副社长 Han Jinman 发表欢迎致辞，随后由三星电子存储器事业部部长（社长） Lee Jeongbae 和存储器事业部副社长 Bae Yongcheol 进行主题演讲，发布围绕技术创新和生态系统构建的业务战略。
半导体领域知名著作《Chip War》的作者、美国塔夫茨大学教授 Chris Miller 也将出席本次Tech Day。Miller 教授将以“2023年，美国的半导体”为主题，与三星半导体销售及营销副社长 Jim Elliott 进行对谈。
半导体业界关注三星电子是否会在本次活动上展示最新存储器技术和产品。三星电子在去年的同一活动上公开了产品路线图，表示将推出第5代10纳米级（12纳米级）D-RAM和第8、9代V-NAND。此后，去年11月公布了第8代V-NAND，今年5月又先后宣布开始量产12纳米级DDR5 D-RAM。
业界在关注，三星电子在去年已表态将于2024年量产第9代V-NAND，并在2030年开发出1000层V-NAND的背景下，此次是否会有最新进展更新。随着近期AI需求增加，高带宽存储器（HBM）等高附加值D-RAM是否会成为讨论议题，也备受瞩目。
Lee 社长在去年的活动上曾表示：“三星电子在约40年间生产的存储器总存储容量已超过1万亿千兆字节（GB），其中一半是在最近3年间生产的，我们切身感受到数字化转型的急剧变化”，“今后将通过高带宽、大容量、高效率存储器，与新平台实现相互进化（Co-evolution），不断发展”。
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