包括三星电子、SK海力士在内的韩国半导体企业下半年将把重点放在进一步削减NAND闪存产量上。由于NAND需求复苏明显慢于DRAM,价格下跌对业绩造成的冲击更大。

SK海力士 238层NAND

SK海力士 238层NAND

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7日,半导体业界表示,三星电子和SK海力士下半年业绩修复的关键在于NAND市场的回暖。DRAM方面,随着应用特殊工艺的产品需求增加,预计价格将出现反弹,但NAND尚未出现同样迹象。业界形成的共识是,NAND市场的复苏将滞后于DRAM,因此尽快调节NAND产量已刻不容缓。在预计下半年将出现以DRAM为中心的景气回升之际,能在多大程度上享受到NAND减产带来的效果,成为半导体业绩修复的关键点。


根据市场调研机构DRAMeXchange最新价格统计,上月用于存储卡和USB的NAND闪存(128Gb 16Gx8)固定成交价平均为3.82美元,自4月以来已连续3个月维持同一价格。尽管在上月26日、27日三星电子和SK海力士相继公布NAND追加减产计划后,部分NAND产品的现货价格(代理商等实际需求方之间的成交价格)开始略有波动,但距离真正反弹仍有很长距离。


半导体业界认为,下半年有必要进一步削减NAND产量。业界判断,第二季度亏损业绩中,NAND产品的库存减值损失影响较大。三星电子和SK海力士的DRAM部门通过加大高带宽内存(HBM)、双倍数据速率5(DDR5)等高附加值产品的销售力度,预计营业利润率已从第一季度水平改善至负单位数,而NAND则因计入库存评估损失,营业利润率估计在-100%左右。

三星电子第八代V-NAND

三星电子第八代V-NAND

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三星电子在第二季度业绩发布后举行的电话会议上表示:“随着推进存储半导体减产,DRAM和NAND库存已在5月触及‘峰值’,目前正快速减少”,“下半年也将为实现库存正常化继续减产,特别是将大幅追加调整NAND产量”。SK海力士同样表示:“存储器需求自第二季度起呈现复苏态势,但要将自去年下半年以来攀升的库存水平恢复至正常仍不充分。”同时称:“由于与DRAM相比,业界NAND库存水平更高、盈利能力更低,计划追加减产5%至10%。”


NAND减产很可能将集中在设厂所在地中国进行。三星电子西安工厂承担了公司约40%的NAND闪存产量。据悉,该厂以12英寸晶圆为基准,每月生产27万片NAND。虽然华城、平泽半导体工厂的NAND产量远高于西安,但在中美霸权竞争的背景下,西安工厂生产工艺升级推进缓慢,因此减产很可能集中在以老旧型号为主的产品上。SK海力士也在运营2020年收购英特尔NAND闪存业务时接手的大连工厂。业界预计,将以客户需求下降的低层数堆叠NAND为主实施减产。


不过,即便半导体企业推进NAND追加减产,NAND部门在第三季度实现扭亏为盈仍被认为困难重重。三星电子和SK海力士都期待DRAM部门借由价格转涨实现营业利润转正。相反,NAND的目标不是扭亏为盈,而是缩小营业亏损幅度。原因在于,目前还难以期待NAND市场在短期内恢复到足以实现盈利的程度。


目前NAND市场依然是供应大于需求。不过,市场调研机构Omdia认为,一旦减产效果显现,NAND供给相对于需求的比例将以今年第一季度为峰值后逐步下降。预计将从第一季度的1.29%降至第二季度的1.18%、第三季度的1.12%、第四季度的1.07%。



另一方面,Omdia预计今年NAND市场规模(按销售额计)为432.29亿美元,较去年的594.12亿美元将减少27.2%。该机构还预测,若减产效果显现,明年市场规模将增至531.42亿美元,实现22%的增长。随着人工智能(AI)使用增加带来的数据中心需求,以及电动汽车、自动驾驶汽车的普及,Omdia判断,2025年NAND市场规模有可能超过DRAM。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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