美国圣克拉拉将于下月8日举办
计划进行主题演讲和展位展示
去年曾展示NAND闪存技术实力

三星电子和SK海力士将于下月举行的“闪存峰会”上展开积极活动。业界关注两家公司是否会像去年一样,把本次大会作为展示最新NAND技术和主力产品的平台。


三星电子和SK海力士将参加下月8日至10日在美国圣克拉拉会展中心举行的“闪存峰会2023”。闪存峰会是围绕存储半导体之一——闪存而举办的业界最大活动。除代表性闪存产品NAND闪存的制造商外,相关企业和团体也每年参会,讨论最新技术和行业动向。


Choi Jinhyuk 三星电子美洲法人存储器研究所所长(副社长)去年8月在“闪存峰会 2022”上发表主题演讲的场景 / 三星电子半导体新闻室供图

Choi Jinhyuk 三星电子美洲法人存储器研究所所长(副社长)去年8月在“闪存峰会 2022”上发表主题演讲的场景 / 三星电子半导体新闻室供图

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三星电子和SK海力士继去年之后,今年也将承担大会主题演讲。此外,两家公司还将在会期内设立展台,宣传自家最新产品。SK海力士子公司Solidigm也将进行主题演讲并布置展台。Solidigm是一家利用闪存展示用于存储海量信息的固态硬盘(SSD)的企业。这些公司的展台将与日本铠侠一起,以展馆内最大规模、并排设置的形式亮相。


今年大会上,不仅将讨论存储半导体市场动向,还将就云计算和数据中心等服务器相关技术课题进行交流。近期备受关注的人工智能(AI)以及作为新应用领域崛起的车载(汽车电子)市场相关SSD趋势也将被纳入议题。与三维(3D)NAND工艺及存储技术相关的主题同样包含在内。此外,还将讨论与封装技术相关的Chiplet(将多个芯片集成于一个封装的技术)、高带宽存储器(HBM)技术,以及作为半导体行业热点话题的《芯片与科学法案》(CHIPS Act)。


去年8月举行的“闪存峰会2022”上的SK海力士展台 / 图片来源=SK海力士新闻室

去年8月举行的“闪存峰会2022”上的SK海力士展台 / 图片来源=SK海力士新闻室

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业界正关注三星电子和SK海力士将在今年大会上发布哪些内容。三星电子方面,曾在去年的该会议上公布了第8代V-NAND(推测为236层)的量产计划,并基于新一代接口CXL,公开了面向AI用途的“内存语义SSD”。SK海力士也在去年首次通过该大会分享了其成功开发238层四维(4D)NAND的消息。



此后,三星电子于去年11月开始量产第8代V-NAND。SK海力士则从5月起开始量产238层NAND。业界预计,今年NAND市场中围绕层数提升的“堆叠竞争”将进一步加剧。竞争对手日本铠侠和美国Western Digital计划在今年量产218层3D NAND。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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